RC-IGBT und Verfahren zum Betreiben einer Halbbrückenschaltung

Ein RC-IGBT (1) umfasst in einem einzigen Chip ein aktives Gebiet (1-2), das dazu konfiguriert ist, sowohl einen Vorwärtslaststrom als auch einen Rückwärtslaststrom zwischen einem ersten Lastanschluss (11) an einer Vorderseite (110) eines Halbleiterkörpers (10) des RC-IGBTs (1) und einem zweiten Lastanschluss (12) an einer Rückseite (120) des Halbleiterkörpers (10) zu leiten, wobei das aktive Gebiet (1-2) in mindestens ein Nur-IGBT-Gebiet (1-21), von dem mindestens 90% dazu konfiguriert sind, basierend auf einem ersten Steuersignal (13-21) nur den Vorwärtslaststrom zu leiten; und ein RC-IGBT-Gebiet (1-22), von dem mindestens 90% dazu konfiguriert sind, den Rückwärtslaststrom und, basierend auf einem zweiten Steuersignal (13-22), den Vorwärtslaststrom zu leiten, unterteilt ist. An RC IGBT includes, in a single chip, an active region configured to conduct both a forward load current and a reverse load current between a first load terminal at a front side of a semiconductor body of the RC IGBT and a second load terminal at a back side of the semiconductor body. The active region is separated into at least an IGBT-only region and an RC IGBT region. At least 90% of the IGBT-only region is configured to conduct, based on a first control signal, only the forward load current. At least 90% of the RC IGBT region is configured to conduct the reverse load current and, based on a second control signal, the forward load current.