3DIC-PACKAGE UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG

Ein Verfahren umfasst Folgendes: Bonden eines ersten Vorrichtungs-Dies an einen zweiten Vorrichtungs-Die durch Vorderseite-an-Vorderseite-Bondung, wobei der zweite Vorrichtungs-Die in einem Vorrichtungswafer angeordnet ist; Erzeugen eines Spaltfüllbereichs, um den ersten Vorrichtungs-Die zu umschließen; Durchführen eines rückseitigen Schleifprozesses an dem Vorrichtungswafer, um eine Durchkontaktierung in dem zweiten Vorrichtungs-Die freizulegen; und Herstellen einer Umverteilungsstruktur auf einer Rückseite des Vorrichtungswafers. Die Umverteilungsstruktur wird durch die Durchkontaktierung in dem zweiten Vorrichtungs-Die elektrisch mit dem ersten Vorrichtungs-Die verbunden. Ein Trägersubstrat wird an den ersten Vorrichtungs-Die gebondet. A method includes bonding a first device die to a second device die through face-to-face bonding, wherein the second device die is in a device wafer, forming a gap-filling region to encircle the first device die, performing a backside-grinding process on the device wafer to reveal a through-via in the second device die, and forming a redistribution structure on the backside of the device wafer. The redistribution structure is electrically connected to the first device die through the through-via in the second device die. A supporting substrate is bonded to the first device die.