THERMISCHE FEHLÜBEREINSTIMMUNGSREDUKTION IN HALBLEITERVORRICHTUNGSMODULEN

In manchen Gesichtspunkten beziehen sich die hierin beschriebenen Techniken auf eine Halbleitervorrichtungsanordnung, einschließlich: ein Direct-Bonded-Metall-Substrat (DBM-Substrat) einschließlich: einer Keramikschicht; einer ersten Metallschicht, die auf einer ersten Oberfläche des DBM-Substrats a...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Im, Seungwon, Jeon, Oseob
Format: Patent
Sprache:ger
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