VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT

Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (1) beschrieben. Das Verfahren umfasst die Schritte - Bereitstellen eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips (2),- Bereitstellen einer Schicht (3) umfassend ein teilweise ausgehärtetes Matrixmaterial (4) und einen Leuchtstoff (5),- Verbinden des strahlungsemittierenden Halbleiterchips (2) und der Schicht (3),- Aushärten des teilweise ausgehärteten Matrixmaterials (4) zu einem Matrixmaterial (6), sodass eine Konversionsschicht (7) mit dem Matrixmaterial (6) und dem Leuchtstoff (5) in direktem Kontakt mit dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (2) gebildet wird.Weiterhin wird ein optoelektronisches Bauelement (1), insbesondere mit einer Mikro-LED, beschrieben. A method for producing an optoelectronic component (1) is described. The method comprises the steps of providing a radiation-emitting semiconductor chip (2), providing a layer (3) comprising a partially cured matrix material (4) and comprising a luminescent material (5), joining the radiation-emitting semiconductor chip (2) and the layer (3), curing the partially cured matrix material (4) to form a matrix material (6) so that a conversion layer (7) having the matrix material (6) and having the luminescent material (5) is formed in direct contact with the radiation-emitting semiconductor chip (2). An optoelectronic component (1), in particular having a micro-LED, is also described.