STRUKTUR UND VERFAHREN ZUM BILDEN VON SPACERN AN UNFACETTIERTEN ERHÖHTEN SOURCE/DRAIN-REGIONEN

Offenbart sind eine Halbleiterstruktur und ein Verfahren zum Bilden der Struktur. Die Struktur weist eine Halbleiterschicht auf. Eine Gate-Struktur ist an der Halbleiterschicht angeordnet. Die Gate-Struktur weist einen Seitenwand-Spacer auf, der eine erste Sektion an der Halbleiterschicht aufweist und lateral angrenzend an die Gate-Struktur positioniert ist und der ferner eine zweite Sektion aufweist, die über der ersten Sektion und breiter als diese ist und lateral angrenzend an die Gate-Struktur positioniert ist. Eine Source/Drain Region ist an der Halbleiterschicht und lateral angrenzend an die erste Sektion und die zweite Sektion des Seitenwand-Spacers positioniert. Disclosed are a semiconductor structure and method of forming the structure. The structure has a semiconductor layer. A gate structure is located on the semiconductor layer. The gate structure has a sidewall spacer having a first section on the semiconductor layer and positioned laterally adjacent to the gate structure and further having a second section above and wider than the first section and positioned laterally adjacent the gate structure. A source/drain region is on the semiconductor layer and positioned laterally adjacent to the first section and the second section of the sidewall spacer.