WAFER-AUF-WAFER-KASKODEN-HEMT-VORRICHTUNG

Eine Halbleitervorrichtung umfasst eine erste Halbleiterstruktur mit einer ersten HEMT-Vorrichtung (HEMT: high electron mobility transistor - Transistorvorrichtung mit hoher Elektronenbeweglichkeit), wobei die erste HEMT-Vorrichtung ein erstes Gate, eine erste Source und einen ersten Drain aufweist;...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Yu, Jiun-Lei, Wu, Chen-Bau, Tsai, Chun-Lin, Wu, Haw-Yun
Format: Patent
Sprache:ger
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