WAFER-AUF-WAFER-KASKODEN-HEMT-VORRICHTUNG

Eine Halbleitervorrichtung umfasst eine erste Halbleiterstruktur mit einer ersten HEMT-Vorrichtung (HEMT: high electron mobility transistor - Transistorvorrichtung mit hoher Elektronenbeweglichkeit), wobei die erste HEMT-Vorrichtung ein erstes Gate, eine erste Source und einen ersten Drain aufweist; und eine zweite Halbleiterstruktur, die über die erste Halbleiterstruktur gestapelt ist und an diese gebondet ist, wobei die zweite Halbleiterstruktur eine zweite HEMT-Vorrichtung und eine dritte HEMT-Vorrichtung aufweist, wobei die zweite HEMT-Vorrichtung ein zweites Gate, eine zweite Source und einen zweiten Drain, der elektrisch mit der ersten Source verbunden ist, aufweist, wobei die dritte HEMT-Vorrichtung ein drittes Gate, eine dritte Source und einen dritten Drain, der elektrisch mit dem ersten Gate verbunden ist, aufweist. A semiconductor device includes a first semiconductor structure including a first high electron mobility transistor (HEMT) device, wherein the first HEMT device includes a first gate, a first source, and a first drain; and a second semiconductor structure stacked above and bonded to the first semiconductor structure, wherein the second semiconductor structure includes a second HEMT device and a third HEMT device, wherein the second HEMT device includes a second gate, a second source, and a second drain that is electrically connected to the first source, wherein the third HEMT device includes a third gate, a third source, and a third drain that is electrically connected to the first gate.