EUV-FOTOMASKEN UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR

Eine Fotomaske zur EUV-Lithografie (EUV: extremes Ultraviolett) weist eine Maskenjustiermarke zum Justieren der Fotomaske zu einer EUV-Lithografie-Anlage; und Subauflösungs-Unterstützungsstrukturen auf, die um die Maskenjustiermarke angeordnet sind. Eine Abmessung der Subauflösungs-Unterstützungsstr...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Cheng, Chieh-Jen, Chang, Ya Hui, Lai, Yu-Tse, Wang, Sheng-Min, Su, Wei-Shuo, Hsieh, Ken-Hsien
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR CINEMATOGRAPHY ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY MATERIALS THEREFOR ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Eine Fotomaske zur EUV-Lithografie (EUV: extremes Ultraviolett) weist eine Maskenjustiermarke zum Justieren der Fotomaske zu einer EUV-Lithografie-Anlage; und Subauflösungs-Unterstützungsstrukturen auf, die um die Maskenjustiermarke angeordnet sind. Eine Abmessung der Subauflösungs-Unterstützungsstrukturen beträgt 10 nm bis 50 nm. A photo mask for an extreme ultraviolet (EUV) lithography includes a mask alignment mark for aligning the photo mask to an EUV lithography tool, and sub-resolution assist patterns disposed around the mask alignment mark. A dimension of the sub-resolution assist patterns is in a range from 10 nm to 50 nm.