STRUKTUR UND VERFAHREN FÜR RÜCKSEITIG BELEUCHTETE BILDVORRICHTUNG

Eine Bildsensorstruktur, die weiterhin Folgendes aufweist: ein erstes Substrat mit einer Vorderseite und einer Rückseite; einen Fotodetektor, der auf der Vorderseite des ersten Substrats angeordnet ist und sich über eine Abmessung Dp entlang einer ersten Richtung erstreckt; eine Gateelektrode, die a...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Yang, Hao-Lin, Yaung, Dun-Nian, Wang, Chen-Jong, Wang, Tzu-Jui, Wang, Ching-Chun
Format: Patent
Sprache:ger
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Beschreibung
Zusammenfassung:Eine Bildsensorstruktur, die weiterhin Folgendes aufweist: ein erstes Substrat mit einer Vorderseite und einer Rückseite; einen Fotodetektor, der auf der Vorderseite des ersten Substrats angeordnet ist und sich über eine Abmessung Dp entlang einer ersten Richtung erstreckt; eine Gateelektrode, die auf der Vorderseite des ersten Substrats hergestellt ist und den Fotodetektor teilweise überlappt; einen dotierten Bereich als einen schwebenden Diffusionsbereich, der auf der Vorderseite des ersten Substrats hergestellt ist und neben dem Fotodetektor angeordnet ist; und eine Interconnect-Struktur, die auf der Vorderseite des ersten Substrats angeordnet ist und sich über der Gateelektrode befindet. Die Interconnect-Struktur weist eine zweite Metallschicht über einer ersten Metallschicht auf, die zweite Metallschicht weist weiterhin ein erstes und ein zweites Metallstrukturelement beabstandet mit einem Abstand Ds entlang der ersten Richtung auf, das erste Metallstrukturelement ist elektrisch mit dem dotierten Strukturelement verbunden und ein erstes Verhältnis Ds/Dp ist größer als 0,3. An image sensor structure that further includes a first substrate having a front side and a back side; a photodetector disposed on the front side of the first substrate and spanning a dimension Dp along a first direction; a gate electrode formed on the front side of the first substrate and partially overlapping the photodetector; a doped region as a floating diffusion region formed on the front side of the first substrate and disposed next to the photodetector; and an interconnect structure disposed on the front surface of the first substrate and overlying the gate electrode. The interconnect structure includes a second metal layer over a first metal layer, the second metal layer further includes a first and second metal features distanced a distance Ds along the first direction, the first metal feature is electrically connected to the doped feature, and a first ratio Ds/Dp is greater than 0.3.