Adaptiver Spiegel mit mechanischer Vermittlerschicht und mikrolithographische Projektionsbelichtunganlage

Die Erfindung betrifft einen adaptiver Spiegel (100) für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage (600,700), mit einem Spiegelsubstrat (101), mit einer optischen Wirkfläche (102) und einem Reflexionsschichtsystem (103) zur Reflexion von auf die optische Wirkfläche (102) auftreffender elektromagnetischer Strahlung, mit einer Aktuatorschicht (104) zur Erzeugung einer lokal variablen Deformation der optischen Wirkfläche (102), sowie mit einer zwischen der Aktuatorschicht (104) und dem Reflexionsschichtsystem (103) angeordneten Vermittlerschicht (105). Die Vermittlerschicht (105) ist als eine elastische mechanische Vermittlerschicht (105) gebildet, wobei die Dicke der elastischen mechanischen Vermittlerschicht (105) zwischen 0,1mm und 50mm, bevorzugt zwischen 0,1mm und 20mm, besonders zwischen bevorzugt 0,1mm und 10mm und ganz besonders bevorzugt 0,5mm bis 5mm beträgt, und dass das Elastizitätsmodul der elastischen mechanischen Vermittlerschicht (105) zwischen 10G Pa und 300 GPa, bevorzugt zwischen 50 GPa und 150 GPa und besonders bevorzugt zwischen 60 GPa und 80 GPa beträgt.Die Erfindung betrifft darüber hinaus einen mikrolithgraphischen Projektionsbelichtungsanlage. The invention relates to an adaptive mirror (100) for a microlithographic projection exposure system (600, 700), having a mirror substrate (101), having an optical active surface (102) and a reflective layer system (103) for reflecting electromagnetic radiation incident on the optical active surface (102), having an actuator layer (104) for generating a locally variable deformation of the optical active layer (102), and having a promoter layer (105) arranged between the actuator layer (104) and the reflective layer system (103). The promoter layer (105) is formed as an elastic mechanical promoter layer (105), wherein the thickness of the elastic mechanical promoter layer (105) is between 0.1 mm and 50 mm, preferably between 0.1 mm and 20 mm, particularly preferably between 0.1 mm and 10 mm and very preferably between 0.5 mm and 5 mm, and in that the modulus of elasticity of the elastic mechanical promoter layer (105) is between 10 GPa and 300 GPa, preferably between 50 GPa and 150 GPa and particularly preferably between 60 GPa and 80 GPa. The invention also relates to a microlithographic projection exposure system.