Feldeffekttransistor und Verfahren zur Herstellung

Die Erfindung betrifft einen Feldeffekttransistor (200), aufweisend: eine erster Art dotierte Source-Schicht (104), eine erster Art dotierte Drain-Schicht (108, 120), eine vertikal zwischen der erster Art dotierten Source-Schicht (104) und der erster Art dotierten Drain-Schicht (108, 120) liegende Kanal-Schicht (106), und einen Gate-Graben, der sich in vertikaler Richtung von der erster Art dotierten Source-Schicht (104) zu der erster Art dotierten Drift-Schicht (120) erstreckt und an die Kanal-Schicht (106) grenzt, wobei die Kanal-Schicht (106) in einem Bereich, der mehr als einen vorgegebenen Abstand von dem Gate-Graben entfernt ist, zumindest im Mittel eine geringere Dotierung zweiter Art oder eine höhere Dotierung erster Art aufweist als in einem Bereich, der weniger als den vorgegebenen Abstand von dem Gate-Graben entfernt ist. Die Erfindung betrifft auch Verfahren zur Herstellung. A field-effect transistor. The field-effect transistor includes: a source layer doped according to a first type, a drain layer doped according to a first type, a channel layer located vertically between the source layer doped according to the first type and the drain layer doped according to the first type, and a gate trench which extends vertically from the source layer doped according to the first type to the drift layer doped according to the first type and adjoins the channel layer. The channel layer has, at least on average, a lower doping of the second type and a higher doping of the first type in a region that is more than a specified distance from the gate trench than in a region that is less than the specified distance from the gate trench. Methods for production are also described.