HALBLEITERVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERVORRICHTUNG

Die vorliegende Offenbarung betrifft eine Halbleitervorrichtung und ein Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung. Die Halbleitervorrichtung umfasst eine Stapelstruktur mit mehreren Zwischenschicht-Isolierschichten und mehreren leitenden Gate-Schichten, die abwechselnd gestapelt sind, einen Kanalstecker, der zumindest teilweise durch die Stapelstruktur in einem Zellbereich verläuft, und mehrere Trägerstrukturen, die zumindest teilweise durch die Stapelstruktur in einem Kontaktbereich verlaufen. The present technology relates to a semiconductor device and a method of manufacturing the semiconductor device. The semiconductor device includes a stack structure including a plurality of interlayer insulating layers and a plurality of gate conductive layers that are alternately stacked, a channel plug at least partially passing through the stack structure on a cell region, and a plurality of support structures at least partially passing through the stack structure on a contact region.