Optisches Element und EUV-Lithographiesystem

Die Erfindung betrifft ein optisches Element (M4) zur Reflexion von Strahlung, insbesondere zur Reflexion von EUV-Strahlung, umfassend: ein monolithisches Substrat (25), eine reflektierende Beschichtung (26), die auf eine Oberfläche (25a) des monolithischen Substrats (25) aufgebracht ist, sowie mind...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Klasna, Michael, Xalter, Stefan, Knorr, Soeren, Gleason, Cristian, Monz, Thomas
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR CINEMATOGRAPHY ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY MATERIALS THEREFOR OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS OPTICS ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Die Erfindung betrifft ein optisches Element (M4) zur Reflexion von Strahlung, insbesondere zur Reflexion von EUV-Strahlung, umfassend: ein monolithisches Substrat (25), eine reflektierende Beschichtung (26), die auf eine Oberfläche (25a) des monolithischen Substrats (25) aufgebracht ist, sowie mindestens eine Hohlstruktur (27), die in dem Substrat (25) verläuft und die zur Durchströmung mit einem Fluid (28) ausgebildet ist, wobei die Hohlstruktur (27) mindestens einen ersten Abschnitt und einen zweiten, angrenzenden Abschnitt aufweist, die unter einem Winkel (γ) zwischen 60° und 120°, bevorzugt unter einem Winkel (γ) zwischen 80° und 100°, insbesondere unter einem Winkel (γ) von 90°, zueinander ausgerichtet sind. Die Hohlstruktur (27) weist einen abgerundeten Abschnitt (37a, 37b) auf, an dem der erste Abschnitt und der zweite Abschnitt ineinander übergehen. Die Erfindung betrifft auch eine optische Anordnung, insbesondere ein EUV-Lithographiesystem, mit mindestens einem solchen optischen Elements sowie eine Temperier-Einrichtung, die zum Durchströmen der Hohlstruktur (27) mit einem Fluid (28) ausgebildet ist.