Verfahren Zur Herstellung Eines Halbleiterbauteils Und Halbleiterbauteil
In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils (100) einen Schritt A), in dem ein Träger (1) mit einem darauf angeordneten Halbleiterchip (2) bereitgestellt wird. In einem Schritt B) wird ein Formkörper (3, 4) auf dem Träger seitlich neben dem Halb...
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Format: | Patent |
Sprache: | ger |
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container_end_page | |
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container_issue | |
container_start_page | |
container_title | |
container_volume | |
creator | McCaw, Philipp Gebuhr, Tobias Betz, Michael |
description | In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils (100) einen Schritt A), in dem ein Träger (1) mit einem darauf angeordneten Halbleiterchip (2) bereitgestellt wird. In einem Schritt B) wird ein Formkörper (3, 4) auf dem Träger seitlich neben dem Halbleiterchip mittels eines additiven Verfahrens erzeugt.
In at least one embodiment, the method for manufacturing a semiconductor device (100) comprises the following steps: A) providing a carrier (1) having a semiconductor chip (2) disposed thereon. B) producing a moulded body (3, 4) on the carrier laterally next to the semiconductor chip by means of an additive process. |
format | Patent |
fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_DE102022202204A1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>DE102022202204A1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_DE102022202204A13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZPAISy1KS8woSs1TiCotUvBILSouSc3JKc1LV3DNzEstVvBIzEnKSc0sSS1KSiwtSc3MKVYIzUvBFOZhYE1LzClO5YXS3Ayqbq4hzh66qQX58anFBYnJqXmpJfEuroYGRgZGRiBsYOJoaEysOgBl0TYM</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>Verfahren Zur Herstellung Eines Halbleiterbauteils Und Halbleiterbauteil</title><source>esp@cenet</source><creator>McCaw, Philipp ; Gebuhr, Tobias ; Betz, Michael</creator><creatorcontrib>McCaw, Philipp ; Gebuhr, Tobias ; Betz, Michael</creatorcontrib><description>In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils (100) einen Schritt A), in dem ein Träger (1) mit einem darauf angeordneten Halbleiterchip (2) bereitgestellt wird. In einem Schritt B) wird ein Formkörper (3, 4) auf dem Träger seitlich neben dem Halbleiterchip mittels eines additiven Verfahrens erzeugt.
In at least one embodiment, the method for manufacturing a semiconductor device (100) comprises the following steps: A) providing a carrier (1) having a semiconductor chip (2) disposed thereon. B) producing a moulded body (3, 4) on the carrier laterally next to the semiconductor chip by means of an additive process.</description><language>ger</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2023</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20230907&DB=EPODOC&CC=DE&NR=102022202204A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25544,76293</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20230907&DB=EPODOC&CC=DE&NR=102022202204A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>McCaw, Philipp</creatorcontrib><creatorcontrib>Gebuhr, Tobias</creatorcontrib><creatorcontrib>Betz, Michael</creatorcontrib><title>Verfahren Zur Herstellung Eines Halbleiterbauteils Und Halbleiterbauteil</title><description>In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils (100) einen Schritt A), in dem ein Träger (1) mit einem darauf angeordneten Halbleiterchip (2) bereitgestellt wird. In einem Schritt B) wird ein Formkörper (3, 4) auf dem Träger seitlich neben dem Halbleiterchip mittels eines additiven Verfahrens erzeugt.
In at least one embodiment, the method for manufacturing a semiconductor device (100) comprises the following steps: A) providing a carrier (1) having a semiconductor chip (2) disposed thereon. B) producing a moulded body (3, 4) on the carrier laterally next to the semiconductor chip by means of an additive process.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2023</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZPAISy1KS8woSs1TiCotUvBILSouSc3JKc1LV3DNzEstVvBIzEnKSc0sSS1KSiwtSc3MKVYIzUvBFOZhYE1LzClO5YXS3Ayqbq4hzh66qQX58anFBYnJqXmpJfEuroYGRgZGRiBsYOJoaEysOgBl0TYM</recordid><startdate>20230907</startdate><enddate>20230907</enddate><creator>McCaw, Philipp</creator><creator>Gebuhr, Tobias</creator><creator>Betz, Michael</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20230907</creationdate><title>Verfahren Zur Herstellung Eines Halbleiterbauteils Und Halbleiterbauteil</title><author>McCaw, Philipp ; Gebuhr, Tobias ; Betz, Michael</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_DE102022202204A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>ger</language><creationdate>2023</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>McCaw, Philipp</creatorcontrib><creatorcontrib>Gebuhr, Tobias</creatorcontrib><creatorcontrib>Betz, Michael</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>McCaw, Philipp</au><au>Gebuhr, Tobias</au><au>Betz, Michael</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>Verfahren Zur Herstellung Eines Halbleiterbauteils Und Halbleiterbauteil</title><date>2023-09-07</date><risdate>2023</risdate><abstract>In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils (100) einen Schritt A), in dem ein Träger (1) mit einem darauf angeordneten Halbleiterchip (2) bereitgestellt wird. In einem Schritt B) wird ein Formkörper (3, 4) auf dem Träger seitlich neben dem Halbleiterchip mittels eines additiven Verfahrens erzeugt.
In at least one embodiment, the method for manufacturing a semiconductor device (100) comprises the following steps: A) providing a carrier (1) having a semiconductor chip (2) disposed thereon. B) producing a moulded body (3, 4) on the carrier laterally next to the semiconductor chip by means of an additive process.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
fulltext | fulltext_linktorsrc |
identifier | |
ispartof | |
issn | |
language | ger |
recordid | cdi_epo_espacenet_DE102022202204A1 |
source | esp@cenet |
subjects | BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES |
title | Verfahren Zur Herstellung Eines Halbleiterbauteils Und Halbleiterbauteil |
url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-28T03%3A07%3A09IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=McCaw,%20Philipp&rft.date=2023-09-07&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EDE102022202204A1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |