Schaltungsanordnung für einen topologischen Halbleiterschalter eines Inverters

Schaltungsanordnung für einen topologischen Halbleiterschalter eines Inverters, wobei der topologische Halbleiterschalter mindestens zwei Leistungshalbleiter aufweist und in zwei Gruppen (A, B) an Leistungshalbleitern unterteilt ist, die aus unterschiedlichen Halbleitermaterialien gebildet sind, wob...

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Hauptverfasser: Bertelshofer, Teresa, Meiler, Michael
Format: Patent
Sprache:ger
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container_end_page
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creator Bertelshofer, Teresa
Meiler, Michael
description Schaltungsanordnung für einen topologischen Halbleiterschalter eines Inverters, wobei der topologische Halbleiterschalter mindestens zwei Leistungshalbleiter aufweist und in zwei Gruppen (A, B) an Leistungshalbleitern unterteilt ist, die aus unterschiedlichen Halbleitermaterialien gebildet sind, wobei- die erste Gruppe (A) an Leistungshalbleitern aus Leistungshalbleitern mit einer breiten Bandlücke gebildet ist, und wobei die Dimensionierung der von den Leistungshalbleitern der ersten Gruppe (A) genutzten Fläche (F1) und/oder die Auslegung ihrer Schaltgeschwindigkeit für eine Belastung in einem Teillastbetrieb erfolgt, und wobei- eine Dimensionierung der Fläche (F2) der zweiten Gruppe (B) an Leistungshalbleitern für eine Belastung in einem Volllastbetrieb erfolgt, und wobei- der Teillastbetrieb einer maximalen Belastung (X) der Leistungshalbleiter in einem vorgegebenen Fahrzyklus entspricht. A circuit arrangement for a topological semiconductor switch of an inverter is proposed. The topological semiconductor switch has at least two power semiconductors and is divided into two groups of power semiconductors, which are formed from different semiconductor materials. The first group of power semiconductors is formed from power semiconductors with a wide band gap. The size of the surface area used by the power semiconductors of the first group and/or their switching speed are/is set to withstand the loads in part-load operation. Also, the size of the surface area of the second group of power semiconductors is set to withstand the loads in full-load operation.
format Patent
fullrecord <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_DE102022201435B4</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>DE102022201435B4</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_DE102022201435B43</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZPAPTs5IzCkpzUsvTszLL0rJA7IU0g7vKVJIzcxLzVMoyS_Iz8lPzyxOzgDyPBJzknJSM0tSi4rB2lIhyooVPPPKUotAwjwMrGmJOcWpvFCam0HVzTXE2UM3tSA_PrW4IDE5NS-1JN7F1dDAyMDIyMjA0MTY1MnEmFh1ACQyOlg</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>Schaltungsanordnung für einen topologischen Halbleiterschalter eines Inverters</title><source>esp@cenet</source><creator>Bertelshofer, Teresa ; Meiler, Michael</creator><creatorcontrib>Bertelshofer, Teresa ; Meiler, Michael</creatorcontrib><description>Schaltungsanordnung für einen topologischen Halbleiterschalter eines Inverters, wobei der topologische Halbleiterschalter mindestens zwei Leistungshalbleiter aufweist und in zwei Gruppen (A, B) an Leistungshalbleitern unterteilt ist, die aus unterschiedlichen Halbleitermaterialien gebildet sind, wobei- die erste Gruppe (A) an Leistungshalbleitern aus Leistungshalbleitern mit einer breiten Bandlücke gebildet ist, und wobei die Dimensionierung der von den Leistungshalbleitern der ersten Gruppe (A) genutzten Fläche (F1) und/oder die Auslegung ihrer Schaltgeschwindigkeit für eine Belastung in einem Teillastbetrieb erfolgt, und wobei- eine Dimensionierung der Fläche (F2) der zweiten Gruppe (B) an Leistungshalbleitern für eine Belastung in einem Volllastbetrieb erfolgt, und wobei- der Teillastbetrieb einer maximalen Belastung (X) der Leistungshalbleiter in einem vorgegebenen Fahrzyklus entspricht. A circuit arrangement for a topological semiconductor switch of an inverter is proposed. The topological semiconductor switch has at least two power semiconductors and is divided into two groups of power semiconductors, which are formed from different semiconductor materials. The first group of power semiconductors is formed from power semiconductors with a wide band gap. The size of the surface area used by the power semiconductors of the first group and/or their switching speed are/is set to withstand the loads in part-load operation. Also, the size of the surface area of the second group of power semiconductors is set to withstand the loads in full-load operation.</description><language>ger</language><subject>APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC,OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWERSUPPLY SYSTEMS ; BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY ; CONTROL OR REGULATION THEREOF ; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUTPOWER ; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER ; ELECTRIC EQUIPMENT OR PROPULSION OF ELECTRICALLY-PROPELLEDVEHICLES ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; ELECTRODYNAMIC BRAKE SYSTEMS FOR VEHICLES, IN GENERAL ; GENERATION ; MAGNETIC SUSPENSION OR LEVITATION FOR VEHICLES ; PERFORMING OPERATIONS ; PULSE TECHNIQUE ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; TRANSPORTING ; VEHICLES IN GENERAL</subject><creationdate>2023</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20231221&amp;DB=EPODOC&amp;CC=DE&amp;NR=102022201435B4$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,778,883,25551,76302</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20231221&amp;DB=EPODOC&amp;CC=DE&amp;NR=102022201435B4$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>Bertelshofer, Teresa</creatorcontrib><creatorcontrib>Meiler, Michael</creatorcontrib><title>Schaltungsanordnung für einen topologischen Halbleiterschalter eines Inverters</title><description>Schaltungsanordnung für einen topologischen Halbleiterschalter eines Inverters, wobei der topologische Halbleiterschalter mindestens zwei Leistungshalbleiter aufweist und in zwei Gruppen (A, B) an Leistungshalbleitern unterteilt ist, die aus unterschiedlichen Halbleitermaterialien gebildet sind, wobei- die erste Gruppe (A) an Leistungshalbleitern aus Leistungshalbleitern mit einer breiten Bandlücke gebildet ist, und wobei die Dimensionierung der von den Leistungshalbleitern der ersten Gruppe (A) genutzten Fläche (F1) und/oder die Auslegung ihrer Schaltgeschwindigkeit für eine Belastung in einem Teillastbetrieb erfolgt, und wobei- eine Dimensionierung der Fläche (F2) der zweiten Gruppe (B) an Leistungshalbleitern für eine Belastung in einem Volllastbetrieb erfolgt, und wobei- der Teillastbetrieb einer maximalen Belastung (X) der Leistungshalbleiter in einem vorgegebenen Fahrzyklus entspricht. A circuit arrangement for a topological semiconductor switch of an inverter is proposed. The topological semiconductor switch has at least two power semiconductors and is divided into two groups of power semiconductors, which are formed from different semiconductor materials. The first group of power semiconductors is formed from power semiconductors with a wide band gap. The size of the surface area used by the power semiconductors of the first group and/or their switching speed are/is set to withstand the loads in part-load operation. Also, the size of the surface area of the second group of power semiconductors is set to withstand the loads in full-load operation.</description><subject>APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC,OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWERSUPPLY SYSTEMS</subject><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY</subject><subject>CONTROL OR REGULATION THEREOF</subject><subject>CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUTPOWER</subject><subject>CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER</subject><subject>ELECTRIC EQUIPMENT OR PROPULSION OF ELECTRICALLY-PROPELLEDVEHICLES</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>ELECTRODYNAMIC BRAKE SYSTEMS FOR VEHICLES, IN GENERAL</subject><subject>GENERATION</subject><subject>MAGNETIC SUSPENSION OR LEVITATION FOR VEHICLES</subject><subject>PERFORMING OPERATIONS</subject><subject>PULSE TECHNIQUE</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>TRANSPORTING</subject><subject>VEHICLES IN GENERAL</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2023</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZPAPTs5IzCkpzUsvTszLL0rJA7IU0g7vKVJIzcxLzVMoyS_Iz8lPzyxOzgDyPBJzknJSM0tSi4rB2lIhyooVPPPKUotAwjwMrGmJOcWpvFCam0HVzTXE2UM3tSA_PrW4IDE5NS-1JN7F1dDAyMDIyMjA0MTY1MnEmFh1ACQyOlg</recordid><startdate>20231221</startdate><enddate>20231221</enddate><creator>Bertelshofer, Teresa</creator><creator>Meiler, Michael</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20231221</creationdate><title>Schaltungsanordnung für einen topologischen Halbleiterschalter eines Inverters</title><author>Bertelshofer, Teresa ; Meiler, Michael</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_DE102022201435B43</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>ger</language><creationdate>2023</creationdate><topic>APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC,OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWERSUPPLY SYSTEMS</topic><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY</topic><topic>CONTROL OR REGULATION THEREOF</topic><topic>CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUTPOWER</topic><topic>CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER</topic><topic>ELECTRIC EQUIPMENT OR PROPULSION OF ELECTRICALLY-PROPELLEDVEHICLES</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>ELECTRODYNAMIC BRAKE SYSTEMS FOR VEHICLES, IN GENERAL</topic><topic>GENERATION</topic><topic>MAGNETIC SUSPENSION OR LEVITATION FOR VEHICLES</topic><topic>PERFORMING OPERATIONS</topic><topic>PULSE TECHNIQUE</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><topic>TRANSPORTING</topic><topic>VEHICLES IN GENERAL</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>Bertelshofer, Teresa</creatorcontrib><creatorcontrib>Meiler, Michael</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>Bertelshofer, Teresa</au><au>Meiler, Michael</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>Schaltungsanordnung für einen topologischen Halbleiterschalter eines Inverters</title><date>2023-12-21</date><risdate>2023</risdate><abstract>Schaltungsanordnung für einen topologischen Halbleiterschalter eines Inverters, wobei der topologische Halbleiterschalter mindestens zwei Leistungshalbleiter aufweist und in zwei Gruppen (A, B) an Leistungshalbleitern unterteilt ist, die aus unterschiedlichen Halbleitermaterialien gebildet sind, wobei- die erste Gruppe (A) an Leistungshalbleitern aus Leistungshalbleitern mit einer breiten Bandlücke gebildet ist, und wobei die Dimensionierung der von den Leistungshalbleitern der ersten Gruppe (A) genutzten Fläche (F1) und/oder die Auslegung ihrer Schaltgeschwindigkeit für eine Belastung in einem Teillastbetrieb erfolgt, und wobei- eine Dimensionierung der Fläche (F2) der zweiten Gruppe (B) an Leistungshalbleitern für eine Belastung in einem Volllastbetrieb erfolgt, und wobei- der Teillastbetrieb einer maximalen Belastung (X) der Leistungshalbleiter in einem vorgegebenen Fahrzyklus entspricht. A circuit arrangement for a topological semiconductor switch of an inverter is proposed. The topological semiconductor switch has at least two power semiconductors and is divided into two groups of power semiconductors, which are formed from different semiconductor materials. The first group of power semiconductors is formed from power semiconductors with a wide band gap. The size of the surface area used by the power semiconductors of the first group and/or their switching speed are/is set to withstand the loads in part-load operation. Also, the size of the surface area of the second group of power semiconductors is set to withstand the loads in full-load operation.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
fulltext fulltext_linktorsrc
identifier
ispartof
issn
language ger
recordid cdi_epo_espacenet_DE102022201435B4
source esp@cenet
subjects APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC,OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWERSUPPLY SYSTEMS
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
CONTROL OR REGULATION THEREOF
CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUTPOWER
CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
ELECTRIC EQUIPMENT OR PROPULSION OF ELECTRICALLY-PROPELLEDVEHICLES
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
ELECTRODYNAMIC BRAKE SYSTEMS FOR VEHICLES, IN GENERAL
GENERATION
MAGNETIC SUSPENSION OR LEVITATION FOR VEHICLES
PERFORMING OPERATIONS
PULSE TECHNIQUE
SEMICONDUCTOR DEVICES
TRANSPORTING
VEHICLES IN GENERAL
title Schaltungsanordnung für einen topologischen Halbleiterschalter eines Inverters
url https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-15T14%3A35%3A12IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=Bertelshofer,%20Teresa&rft.date=2023-12-21&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EDE102022201435B4%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true