Verfahren zum Erfassen eines charakteristischen Betriebsparameters eines Transistors eines Inverters

Die vorliegende Erfindung betrifft einen Inverter (1), umfassend einen ersten Transistor (2) und einen zweiten Transistor (3), welcher ein High-Side-Transistor und ein Low-Side-Transistor des Inverters (1) sind, und eine Steuerelektronik (4), welche dazu eingerichtet ist einen ersten Schaltvorgang auszulösen, in dem der erste Transistor (2) eingeschaltet wird, wobei der zweite Transistor (3) in einem abgeschalteten Zustand ist, wobei eine parasitäre Kapazität des ersten Transistors bei dem ersten Schaltvorgangs entladen wird, einen zweiten Schaltvorgang auszulösen, in dem der erste Transistor (2) ausgeschaltet oder erneut eingeschaltet wird, wobei zugleich der zweite Transistor (3) in dem abgeschalteten Zustand verbleibt, wobei die parasitäre Kapazität des ersten Transistors bei dem zweiten Schaltvorgangs bereits entladen ist, eine Zeitdifferenz zu erfassen, welche einen Unterschied zwischen einer Dauer des ersten Schaltvorgangs und einer Dauer des zweiten Schaltvorgangs beschreibt, und einen charakteristischen Betriebsparameter des ersten Transistors (2) basierend auf der Zeitdifferenz zu ermitteln. An inverter. The inverter includes a first and second transistors, which are a high-side transistor and a low-side transistor of the inverter, and control electronics configured to trigger a first switching operation, in which the first transistor is switched on, wherein the second transistor is in a switched-off state, wherein a parasitic capacitance of the first transistor is discharged during the first switching operation, to trigger a second switching operation, in which the first transistor is switched off or switched on again, wherein the second transistor simultaneously remains in the switched-off state, wherein the parasitic capacitance of the first transistor is already discharged in the second switching operation, to record a time difference which describes a difference between a duration of the first switching operation and a duration of the second switching operation, and to determine a characteristic operating parameter of the first transistor based on the time difference.