INTEGRIERTE SCHALTUNGSPACKAGES UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG

Bei einer Ausführungsform weist eine Vorrichtung Folgendes auf: einen integrierten Schaltungs-Die mit einem Die-Verbindungselement; eine dielektrische Schicht auf dem integrierten Schaltungs-Die; eine UBM-Schicht (UBM: Metallisierung unter dem Kontakthügel), die einen Leitungsteil auf der dielektrischen Schicht und einen Durchkontaktierungsteil aufweist, der sich durch die dielektrische Schicht erstreckt, um das Die-Verbindungselement zu kontaktieren; eine Durchkontaktierung auf dem Leitungsteil der UBM-Schicht, wobei die Durchkontaktierung eine erste gewölbte Seitenwand in der Nähe des Die-Verbindungselements und eine zweite gewölbte Seitenwand hat, die von dem Die-Verbindungselement entfernt ist, wobei die erste gewölbte Seitenwand eine größere Bogenlänge als die zweite gewölbte Seitenwand hat; und ein Verkapselungsmaterial um die Durchkontaktierung und die UBM-Schicht. In an embodiment, a device includes: an integrated circuit die including a die connector; a dielectric layer on the integrated circuit die; an under-bump metallurgy layer having a line portion on the dielectric layer and having a via portion extending through the dielectric layer to contact the die connector; a through via on the line portion of the under-bump metallurgy layer, the through via having a first curved sidewall proximate the die connector, the through via having a second curved sidewall distal the die connector, the first curved sidewall having a longer arc length than the second curved sidewall; and an encapsulant around the through via and the under-bump metallurgy layer.