EIN DURCHGANGSGATTERTREIBER
Ein Treiber umfasst einen niederohmigen Ladepfad zwischen einer Versorgungsspannungsschiene und einem ersten Ausgangsknoten, einen hochohmigen Ladepfad zwischen der Versorgungsspannungsschiene und dem ersten Ausgangsknoten, einen Inverter, der mit dem ersten Ausgangsknoten gekoppelt ist und dazu aus...
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Format: | Patent |
Sprache: | ger |
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Zusammenfassung: | Ein Treiber umfasst einen niederohmigen Ladepfad zwischen einer Versorgungsspannungsschiene und einem ersten Ausgangsknoten, einen hochohmigen Ladepfad zwischen der Versorgungsspannungsschiene und dem ersten Ausgangsknoten, einen Inverter, der mit dem ersten Ausgangsknoten gekoppelt ist und dazu ausgelegt ist, den niederohmigen Ladepfad freizugeben und zu sperren, und einen hochohmigen Entladepfad zwischen dem ersten Ausgangsknoten und einem zweiten Ausgangsknoten. Der erste Ausgangsknoten ist in einigen Implementierungen mit einem Steueranschluss eines Durchgangsgattertransistors gekoppelt. Der niederohmige Ladepfad lädt eine Spannung an dem ersten Ausgangsknoten auf eine Schwellenspannung des Durchgangsgattertransistors und der hochohmige Ladepfad lädt die Spannung an dem ersten Ausgangsknoten größer als die Schwellenspannung des Durchgangsgattertransistors. Der hochohmige Entladepfad entlädt die Spannung an dem ersten Ausgangsknoten.
A driver includes a low-resistance charging path between a supply voltage rail and a first output node, a high-resistance charging path between the supply voltage rail and the first output node, an inverter coupled to the first output node and configured to enable and disable the low-resistance charging path, and a high-resistance discharging path between the first output node and a second output node. The first output node is coupled to a control terminal of a pass gate transistor in some implementations. The low-resistance charging path charges a voltage on the first output node to a threshold voltage of the pass gate transistor, and the high-resistance charging path charges the voltage on the first output node greater than the threshold voltage of the pass gate transistor. The high-resistance discharging path discharges the voltage on the first output node. |
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