HALBLEITERGEHÄUSE MIT METALLSTIFTEN AUS STRUKTURIERTEM LEITERRAHMEN

Ein Verfahren zum Bilden eines Halbleitergehäuses umfasst das Bereitstellen einer Metallbasisplatte mit einem Basisbereich und einer Vielzahl von Metallstiften, wobei der Basisbereich ein ebenes Pad von im wesentlichen gleichmäßiger Dicke ist, wobei sich die Vielzahl von Metallstiften jeweils von einer ebenen oberen Fläche des Basisbereichs nach oben erstreckt, das Anordnen eines Halbleiterchips auf der oberen Fläche der Metallbasisplatte, das Bilden eines Verkapselungskörpers aus elektrisch isolierender Formmasse auf der oberen Fläche des Basisbereichs, das elektrische Verbinden von Anschlüssen des Halbleiterchips mit den Metallstiften und das Entfernen des Basisbereichs, um Gehäusekontakte von den Metallstiften an einer ersten Fläche des Verkapselungskörpers zu bilden. A method of forming a semiconductor package includes providing a metal baseplate including a base section and a plurality of metal posts, the base section being a planar pad of substantially uniform thickness, the plurality of metal posts each extending up from a planar upper surface of the base section, mounting a semiconductor die on the upper surface of the metal baseplate, forming an encapsulant body of electrically insulating mold compound on the upper surface of the base section, electrically connecting terminals of the semiconductor die to the metal posts, and removing the base section so as to form package contacts from the metal posts at a first surface of the encapsulant body.