Leistungshalbleitermodul mit einer auf eine Schalteinrichtung einwirkenden Druckeinrichtung

Vorgestellt wird ein Leistungshalbleitermodul mit einer Grundplatte, auf der ein Gehäuse und eine hiervon umschlossene Schalteinrichtung angeordnet sind, wobei die Schalteinrichtung ein Substrat und eine Verbindungseinrichtung aufweist, die eine erste und eine zweite Hauptfläche aufweist, wobei auf...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Oehling, Stefan, Hager, Matthias, Kobolla, Harald, Gulitsch, Verena
Format: Patent
Sprache:ger
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:Vorgestellt wird ein Leistungshalbleitermodul mit einer Grundplatte, auf der ein Gehäuse und eine hiervon umschlossene Schalteinrichtung angeordnet sind, wobei die Schalteinrichtung ein Substrat und eine Verbindungseinrichtung aufweist, die eine erste und eine zweite Hauptfläche aufweist, wobei auf einer Leiterbahn dieses Substrats eine Bauelementgruppe von Leistungshalbleiterbauelementen angeordnet ist, die einen Gruppenmittelpunkt aufweist, und mit einer in Normalenrichtung des Substrats zur Druckausübung hierauf ausgebildeten Druckeinrichtung, die einen Druckkörper und einen Druckeinleitkörper aufweist, wobei aus dem Druckkörper ein Druckelement hervorstehend angeordnet ist, wobei das Druckelement auf einen Druckabschnitt der zweiten Hauptfläche der Verbindungseinrichtung drückt und wobei der Druckeinleitkörper ein Druckübertragungsabschnitt mit einem Druckübertragungspunkt aufweist, der in Normalenrichtung näherungsweise mit dem Gruppenmittelpunkt fluchtet, wobei ein jeweiliger Befestigungsabschnitt des Druckeinleitkörpers zum Druckaufbau mittels mindestens zweier Befestigungsmittel, die mit jeweils einem zugeordnete Widerlager der Grundplatte zusammenwirken eingreift, gegen die Grundplatte abstützt. A power semiconductor module has a base plate with a housing and a switching device. The switching device has a substrate and a connecting device with a first and a second main face. A group of power semiconductor components is arranged on a conductor track of the substrate, and has a group midpoint. A pressure device is formed on the substrate in the normal direction to exert pressure, which pressure device has a pressure body and a pressure inducing body, wherein a pressure element is arranged protruding from the pressure body, wherein the pressure element presses onto a pressure section of the second main face of the connecting device, and wherein the pressure inducing body has a pressure transmission section with a pressure transmission point.