Vorrichtung zum Ausformen temperaturbeständiger Bauteile durch selektives Laserschmelzen

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung (10) zum selektiven Laserschmelzen einer Ti-Near-o-Legierung (34). Die Vorrichtung (10) weist eine Schichtenanordnung (16) mit aufeinander aufgetragenen Schichten (14a, 14b, 18) auf, wobei zumindest eine der Schichten (14a) die Ti-Near-o-Legierung (34) aufweis...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Arnold, Niklas, Risse, Jeroen, Schauer, Jan Christian
Format: Patent
Sprache:ger
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Beschreibung
Zusammenfassung:Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung (10) zum selektiven Laserschmelzen einer Ti-Near-o-Legierung (34). Die Vorrichtung (10) weist eine Schichtenanordnung (16) mit aufeinander aufgetragenen Schichten (14a, 14b, 18) auf, wobei zumindest eine der Schichten (14a) die Ti-Near-o-Legierung (34) aufweist. Die Schichtenanordnung (16) ist auf einer Substratplatte (12) der Vorrichtung (10) angeordnet. Eine Laserstrahlquelle (24) ist dazu ausgebildet, die Schichten (14a, 14b, 18) selektiv mit einem Laserstrahl (26) zu schmelzen. Eine Heizeinrichtung (20) der Vorrichtung (10) kann Wärmeenergie in eine in Richtung (SR) von der Substratplatte (12) zu der Schichtenanordnung (16) oberste Schicht (18) der Schichtenanordnung (16) einleiten, um die oberste Schicht (18) auf eine Temperatur zwischen 250°C und 600° C zu heizen. Die oberste Schicht (18) ist insbesondere die Schicht der Schichtenanordnung (16) mit dem größten Abstand zu der Substratplatte (12). The invention relates to a device (10) for selective laser melting of a near-α Ti alloy (34). The device (10) has a layer arrangement (16) with layers (14a, 14b, 18) applied on top of one another, wherein at least one of the layers (14a) has the near-α Ti alloy (34). The layer arrangement (16) is arranged on a substrate panel (12) of the device (10). A laser beam source (24) is designed to selectively melt the layers (14a, 14b, 18) using a laser beam (26). A heating unit (20) of the device (10) can introduce heat energy into an uppermost layer (18) of the layer arrangement in the direction (SR) from the substrate panel (12) to the layer arrangement (16), in order to heat the uppermost layer (18) to a temperature between 250°C and 600°C. The uppermost layer (18) is, in particular, the layer of the layer arrangement (16) at the greatest distance from the substrate panel (12).