TRANSISTOR MIT UMHÜLLENDER EXTRINSISCHER BASIS

Die vorliegende Erfindung betrifft Halbleiterstrukturen und insbesondere einen Transistor mit umhüllender extrinsischer Basis und Herstellungsverfahren. Die Struktur umfasst: ein Substrat; eine Kollektorregion innerhalb des Substrats; eine Emitterregion über dem Substrat und die Silizium-basiertes Material umfasst; eine intrinsische Basis; eine extrinsische Basis, welche die Emitterregion und die intrinsische Basis überlappt; und einen Spacer in Form eines umgedrehten ,,T", der die Emitterregion von der extrinsischen Basis und die Kollektorregion von der Emitterregion trennt. The present disclosure relates to semiconductor structures and, more particularly, to transistor with wrap-around extrinsic base and methods of manufacture. The structure includes: a substrate; a collector region within the substrate; an emitter region over the substrate and which comprises silicon based material; an intrinsic base; and an extrinsic base overlapping the emitter region and the intrinsic base; an extrinsic base overlapping the emitter region and the intrinsic base; and an inverted "T" shaped spacer which separates the emitter region from the extrinsic base and the collector region from the emitter region.