Apparatur, Tragrahmen für eine Apparatur und PVT-Verfahren zum prozesssicheren Herstellen von Einkristallen

Apparatur (100) zum prozesssicheren Herstellen von Einkristallen, umfassendeine Prozesskammer (4) zur Aufnahme einer hoch erhitzbaren Wachstumszelle (1),eine Heizeinrichtung (6, 7) zum Erhitzen der Wachstumszelle (1), wobei die Prozesskammer einen Prozessgasanschluss (51) aufweist zu ihrer Befüllung...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Baumecker, Tomas, Viehmann, Karsten, Vogel, Lorenz, Schöler, Michael
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Apparatur (100) zum prozesssicheren Herstellen von Einkristallen, umfassendeine Prozesskammer (4) zur Aufnahme einer hoch erhitzbaren Wachstumszelle (1),eine Heizeinrichtung (6, 7) zum Erhitzen der Wachstumszelle (1), wobei die Prozesskammer einen Prozessgasanschluss (51) aufweist zu ihrer Befüllung mit einem Prozessgas, welches aus einer Prozessgasquelle bereitstellbar ist,wobei die Wachstumszelle hergerichtet ist zur Aufnahme eines Quellmaterials (2) und eines Keims (3), dadurch gekennzeichnet, dassdie Apparatur eine die Prozesskammer jedenfalls radial allseits umschließende segmentierte Behälterwandung (9) umfasst, wobei die Behälterwandung eine Mehrzahl von zumindest zwei Wandungssegmenten (91, 92, 93, 94) umfasst, und ferner durch einen Tragrahmen (60) zur Halterung von zumindest zwei der Wandungssegmente (91, 92, 93, 94) an dem Tragrahmen.