Halbleitervorrichtung und Verfahren einer Fertigung einer Halbleitervorrichtung
Zur Verfügung gestellt wird eine Halbleitervorrichtung, die geeignet ist, einen Ausfall der Halbleitervorrichtung durch eine vollständige Verarmung einer Halbleiterschicht zu unterbinden. Die Halbleitervorrichtung weist auf: eine erste Halbleiterschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps, die auf einer...
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Format: | Patent |
Sprache: | ger |
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Zusammenfassung: | Zur Verfügung gestellt wird eine Halbleitervorrichtung, die geeignet ist, einen Ausfall der Halbleitervorrichtung durch eine vollständige Verarmung einer Halbleiterschicht zu unterbinden. Die Halbleitervorrichtung weist auf: eine erste Halbleiterschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps, die auf einer Seite einer zweiten Hauptoberfläche eines Halbleiterbasiskörpers vorgesehen ist; eine zweite Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps, die eine Störstellenkonzentration des ersten Leitfähigkeitstyps aufweist, die niedriger ist als diejenige der ersten Halbleiterschicht und näher an der ersten Hauptoberfläche vorgesehen ist als die erste Halbleiterschicht; und eine dritte Halbleiterschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps, die näher an der ersten Hauptoberfläche vorgesehen ist als die zweite Halbleiterschicht. Eine Störstellenkonzentrationsverteilung der dritten Halbleiterschicht bezüglich einer Dickenrichtung des Halbleiterbasiskörpers weist eine Mehrzahl von Höchstwerten auf. Eine Dicke W der dritten Halbleiterschicht erfüllt eine bestimmte Bedingung.
Provided is a semiconductor device capable of suppressing breakdown of the semiconductor device by a full depletion of a semiconductor layer. The semiconductor device includes: a first semiconductor layer of a first conductivity type provided on a second main surface side of a semiconductor base body; a second semiconductor layer of the first conductivity type having a first conductivity type impurity concentration lower than that of the first semiconductor layer and provided closer to a first main surface than the first semiconductor layer is; and a third semiconductor layer of a second conductivity type provided closer to the first main surface than the second semiconductor layer is. An impurity concentration distribution of the third semiconductor layer with respect to thickness direction of the semiconductor base body has a plurality of peaks. A thickness W of the third semiconductor layer satisfies a certain condition. |
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