NICHT-KONFORME GATE-OXIDBILDUNG AUF FINFET

Ein Verfahren umfasst Bilden eines Dummy-Gate-Oxids auf einem Wafer und das Dummy-Gate-Oxid wird an einer Seitenwand und einer Deckoberfläche einer vorragenden Halbleiterfinne in dem Wafer gebildet. Die Bildung des Dummy-Gate-Oxids kann einen plasmaverstärkten chemischen Gasphasenabscheidungsprozess (PECVD-Prozess) in einer Abscheidungskammer umfassen und der PECVD-Prozess umfasst es, eine Funkfrequenzleistung (RF-Leistung) auf eine leitfähige Platte unterhalb des Wafers anzuwenden. Das Verfahren umfasst weiter Bilden einer Dummy-Gate-Elektrode über dem Dummy-Gate-Oxid, Entfernen der Dummy-Gate-Elektrode und des Dummy-Gate-Oxids, um einen Graben zwischen entgegengesetzten Gate-Abstandhaltern zu bilden, und Bilden eines Ersatzgates in dem Graben. A method includes forming a dummy gate oxide on a wafer, and the dummy gate oxide is formed on a sidewall and a top surface of a protruding semiconductor fin in the wafer. The formation of the dummy gate oxide may include a Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) process in a deposition chamber, and the PECVD process includes applying a Radio Frequency (RF) power to a conductive plate below the wafer. The method further includes forming a dummy gate electrode over the dummy gate oxide, removing the dummy gate electrode and the dummy gate oxide to form a trench between opposing gate spacers, and forming a replacement gate in the trench.