Metall-Oxid-Halbleiter-Vorrichtungen mit Drain-Extension mit einer Silizium-Germanium-Schicht unter einem Abschnitt des Gates

Strukturen für eine Metall-Oxid-Halbleiter-Vorrichtung mit Drain-Extension und Verfahren zur Herstellung einer Struktur für eine Metall-Oxid-Halbleiter-Vorrichtung mit Drain-Extension. Die Struktur umfasst ein Halbleitersubstrat, das ein erstes Halbleitermaterial umfasst, einen Source-Bereich und einen Drain-Bereich im Halbleitersubstrat, eine Gate-Elektrode, die in einer seitlichen Richtung zwischen dem Source-Bereich und dem Drain-Bereich angeordnet ist, und eine Halbleiterschicht, die auf dem Halbleitersubstrat angeordnet ist. Die Halbleiterschicht umfasst ein zweites Halbleitermaterial, das sich in seiner Zusammensetzung von dem ersten Halbleitermaterial unterscheidet. Die Gate-Elektrode umfasst einen ersten Abschnitt, der in vertikaler Richtung über der Halbleiterschicht liegt, und einen zweiten Abschnitt, der in vertikaler Richtung über dem Halbleitersubstrat liegt. Structures for an extended-drain metal-oxide-semiconductor device and methods of forming a structure for an extended-drain metal-oxide-semiconductor device. The structure includes a semiconductor substrate containing a first semiconductor material, a source region and a drain region in the semiconductor substrate, a gate electrode positioned in a lateral direction between the source region and the drain region, and a semiconductor layer positioned on the semiconductor substrate. The semiconductor layer contains a second semiconductor material that differs in composition from the first semiconductor material. The gate electrode includes a first section positioned in a vertical direction over the semiconductor layer and a second section positioned in the vertical direction over the semiconductor substrate.