Halbleitergehäuse und Verfahren zu deren Herstellung

Ein Halbleitergehäuse enthält einen Leiterrahmen, umfassend ein Diepad und eine erste Reihe von Anschlussleitern, wobei mindestens ein Anschlussleiter der ersten Reihe von Anschlussleitern physisch von dem Diepad durch eine Lücke getrennt ist. Das Halbleitergehäuse enthält ferner eine Halbleiterkomponente, die auf dem Leiterrahmen angeordnet ist. Das Halbleitergehäuse enthält ferner ein Verkapselungsmaterial, das den Leiterrahmen und die Halbleiterkomponente verkapselt, wobei das Verkapselungsmaterial eine bei einer unteren Fläche des Halbleitergehäuses angeordnete untere Fläche, eine obere Fläche und eine Seitenfläche, die sich von der unteren Fläche zu der oberen Fläche erstreckt, umfasst. Eine Seitenfläche mindestens eines Anschlussleiters der ersten Reihe von Anschlussleitern ist bündig mit der Seitenfläche des Verkapselungsmaterials. Die bündige Seitenfläche des mindestens einen Anschlussleiters ist mit einer elektroplattierten Metallbeschichtung bedeckt. A semiconductor package includes a leadframe including a diepad and a first row of leads, wherein at least one lead of the first row of leads is physically separated from the diepad by a gap. The semiconductor package further includes a semiconductor component arranged on the leadframe. The semiconductor package further includes an encapsulation material encapsulating the leadframe and the semiconductor component, wherein the encapsulation material includes a bottom surface arranged at a bottom surface of the semiconductor package, a top surface and a side surface extending from the bottom surface to the top surface. A side surface of at least one lead of the first row of leads is flush with the side surface of the encapsulation material. The flush side surface of the at least one lead is covered by an electroplated metal coating.