HALBLEITERBAUELEMENT

Ein Halbleiterbauelement weist einen Halbleiterkörper (100) der eine erste Oberfläche (101) und eine der ersten Oberfläche (101) in vertikaler Richtung (y) gegenüberliegende zweite Oberfläche (102), einen Gatebereich (210), und einen in horizontaler Richtung benachbart zu dem Gatebereich (210) angeordneten aktiven Bereich (220) aufweist. Ein erster Emitter (20) eines ersten Leitungstyps, eine erste Basis (22) eines zweiten Leitungstyps und eine zweite Basis (24) des ersten Leitungstyps sind zwischen der zweiten Oberfläche (102) und der ersten Oberfläche (101) in vertikaler Richtung (y) aufeinanderfolgend angeordnet. Das Halbleiterbauelement weist weiterhin einen in dem aktiven Bereich (220) angeordneten vorderseitigen Emitter (30) des zweiten Leitungstyps, der sich von der ersten Oberfläche (101) in vertikaler Richtung (y) in die zweite Basis (24) erstreckt, und eine Vielzahl von Kurzschlussgebieten (32) des ersten Leitungstyps auf, die sich von der ersten Oberfläche (101) durch den vorderseitigen Emitter (30) hindurch bis zu der zweiten Basis (24) erstrecken, wobei der aktive Bereich (220) einen an den Gatebereich (210) in horizontaler Richtung angrenzenden ersten Randbereich (310), einen an den ersten Randbereich (310) in horizontaler Richtung angrenzenden Ausfallbereich (320), und einen an den Ausfallbereich (320) in horizontaler Richtung angrenzenden zweiten Randbereich (330) aufweist, und eine mittlere Dichte der in dem Ausfallbereich (320) angeordneten Kurzschlussgebiete (32) geringer ist als eine mittlere Dichte der jeweils in dem ersten Randbereich (310) und dem zweiten Randbereich (330) angeordneten Kurzschlussgebiete (32). A semiconductor device includes a semiconductor body having opposite first and second surfaces, a gate region, and an active region arranged adjacent to the gate region in a horizontal direction. A first emitter, a first base, and a second base are arranged consecutively between the second and first surfaces in a vertical direction. A front-facing emitter is arranged in the active region and extends in the vertical direction from the first surface to the second base. Short-circuit regions extend from the first surface through the front-facing emitter to the second base. The active region has, in the horizontal direction, a first edge region adjacent to the gate region, a failure region adjacent to the first edge region, and a second edge region adjacent to the failure region. An average density of the short-circuit regions in t