VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER KANTENEMISSIONSHALBLEITERLASERDIODE

Ein Verfahren zum Herstellen einer Kantenemissionshalbleiterlaserdiode wird bereitgestellt, das die folgenden Schritte umfasst:- Bereitstellen eines Kantenemissionshalbleiterkörpers (2), der zum Erzeugen elektromagnetischer Laserstrahlung während einer Operation in einer Kammer (12) konfiguriert ist, wobei der Kantenemissionshalbleiterkörper (2) zwei gegenüberliegende Facetten (4, 4', 4'') aufweist,- Erhöhen einer Temperatur (T) des Kantenemissionshalbleiterkörpers (2) von einer ersten Temperatur (T1) auf eine zweite Temperatur (T2) während eines ersten Zeitintervalls (Δt1),- Behandeln des Kantenemissionshalbleiterkörpers (2) mit der zweiten Temperatur (T2) während eines zweiten Zeitintervalls (Δt2),- Behandeln des Kantenemissionshalbleiterkörpers (2) mit einem Ionenplasma (16) in der Kammer (12) während des ersten Zeitintervalls (Δt1) und des zweiten Zeitintervalls(Δt2). A method for manufacturing an edge emitting semiconductor laser diode comprising the following steps is provided: - providing an edge emitting semiconductor body (2) configured for generating electromagnetic laser radiation during operation in a chamber (12), the edge emitting semiconductor body (2) having two opposite facets (4, 4', 4''), - raising a temperature (T) of the edge emitting semiconductor body (2) from a first temperature (T1) to a second temperature (T2) during a first time interval (Δt1), - treating the edge emitting semiconductor body (2) with the second temperature (T2) during a second time interval (Δt2), - treating the edge emitting semiconductor body (2) with an ion plasma (16) in the chamber (12) during the first time interval (Δt1) and the second time interval (Δt2).