LASERDIODENBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG ZUMINDEST EINES LASERDIODENBAUELEMENTS
Es wird ein Laserdiodenbauelement (1) angegeben, umfassend- zumindest einen Halbleiterschichtenstapel (2),- zumindest eine erste Kontaktstruktur (6), die zumindest ein erstes Kontaktelement (7) aufweist,- zumindest eine zweite Kontaktstruktur (9), die zumindest ein zweites Kontaktelement (10) aufwei...
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Format: | Patent |
Sprache: | ger |
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Zusammenfassung: | Es wird ein Laserdiodenbauelement (1) angegeben, umfassend- zumindest einen Halbleiterschichtenstapel (2),- zumindest eine erste Kontaktstruktur (6), die zumindest ein erstes Kontaktelement (7) aufweist,- zumindest eine zweite Kontaktstruktur (9), die zumindest ein zweites Kontaktelement (10) aufweist, wobei das zumindest eine zweite Kontaktelement (10) auf derselben Seite des Laserdiodenbauelements (1) angeordnet ist wie das zumindest eine erste Kontaktelement (7), und- zumindest einen Resonator (11) umfassend- einen ersten Resonatorbereich (12), der eine erste Reflexionsschicht (13) aufweist, die auf dem zumindest einen Halbleiterschichtenstapel (2) angeordnet ist,- einen zweiten Resonatorbereich (14), der eine erste Reflexionsschicht (15) und eine zweite, elektrisch leitfähige Reflexionsschicht (16) aufweist, die jeweils auf dem zumindest einen Halbleiterschichtenstapel (2) angeordnet sind, wobeidie zweite, elektrisch leitfähige Reflexionsschicht (16) das zumindest eine erste Kontaktelement (7) mit einem ersten Halbleiterbereich (3) des Halbleiterschichtenstapels (2) oder das zumindest eine zweite Kontaktelement (10) mit einem zweiten Halbleiterbereich (5) des Halbleiterschichtenstapels (2) elektrisch leitend verbindet. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Laserdiodenbauelements (1) angegeben. |
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