SUBMODULHALBLEITERGEHÄUSE

Implementierungen von Halbleitervorrichtungen können einen Chip, der über einen Leadframe gekoppelt ist, eine Umverteilungsschicht (RDL), die über den Chip gekoppelt ist, eine erste Vielzahl von Durchkontaktierungen, die zwischen der RDL und dem Chip gekoppelt ist, und eine zweite Vielzahl von Durchkontaktierungen, die über den und direkt mit dem Leadframe gekoppelt ist, einschließen. Die zweite Vielzahl von Durchkontaktierungen kann an eine Außenkante der Halbleitervorrichtung angrenzen und kann von dem Chip elektrisch isoliert sein. Implementations of semiconductor devices may include a die coupled over a lead frame, a redistribution layer (RDL) coupled over the die, a first plurality of vias coupled between the RDL and the die, and a second plurality of vias coupled over and directly to the lead frame. The second plurality of vias may be adjacent to an outer edge of the semiconductor device and may be electrically isolated from the die.