LESEVERSTÄRKERSCHALTUNG ZUM STROMABTASTEN

Die vorliegende Offenbarung betrifft integrierte Schaltkreise, und insbesondere, eine Leseverstärkerschaltung zum Stromabtasten in einer Speicherstruktur und Herstellungs- und Betriebsverfahren. Insbesondere betrifft die vorliegende Offenbarung eine Schaltung umfassend: eine Abtastschaltung umfassend einen ersten Satz von Transistoren, wenigstens eine Datenzellenschaltung und eine Referenzzellenschaltung; eine Referenzspannungshalteschaltung umfassend einen zweiten Satz von Transistoren und einen Bitline-Kondensator; und eine Komparator-Differenzschaltung, die ein Datenabtastspannungssignal von der Abtastschaltung und ein Referenzspannungsniveau von der Referenzspannungshalteschaltung empfängt und ein Ausgangssignal ausgibt. The present disclosure relates to integrated circuits, and more particularly, to a sense amplifier circuit for current sensing in a memory structure and methods of manufacture and operation. In particular, the present disclosure relates to a circuit including: a sensing circuit including a first set of transistors, at least one data cell circuit, and a reference cell circuit; a reference voltage holding circuit comprising a second set of transistors and a bitline capacitor; and a comparator differential circuit which receives a data sensing voltage signal from the sensing circuit and a reference voltage level from the reference voltage holding circuit and outputs an output signal.