HOCHSPANNUNGSSCHALTER MIT VERMINDERTER GATE-BELASTUNG

Eine Vielfalt von Anwendungen kann einen Hochspannungsschalter beinhalten, der dazu konfiguriert ist, Versorgungsspannungen oder andere Spannungen auf bestimmte Größen in Speichervorrichtungen umzusetzen, wobei der Hochspannungsschalter dazu ausgelegt ist, eine erhöhte Lebensdauer für die Komponente...

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1. Verfasser: Smith, Michael Andrew
Format: Patent
Sprache:ger
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Beschreibung
Zusammenfassung:Eine Vielfalt von Anwendungen kann einen Hochspannungsschalter beinhalten, der dazu konfiguriert ist, Versorgungsspannungen oder andere Spannungen auf bestimmte Größen in Speichervorrichtungen umzusetzen, wobei der Hochspannungsschalter dazu ausgelegt ist, eine erhöhte Lebensdauer für die Komponenten des Hochspannungsschalters bereitzustellen. Ein Hochspannungsschalter kann eine Hochspannungsdiode beinhalten, die an einen Ausgangsknoten und an ein Gate eines an den Ausgangsknoten gekoppelten Hochspannungstransistors gekoppelt ist. Die Hochspannungsdiode kann eine Rückkopplung einer Ausgangsspannung an das Gate des Hochspannungstransistors bereitstellen, um die Fowler-Nordheim-Belastung des an das Gate des Transistors gekoppelten Dielektrikums zu verringern, wo andernfalls durch die Fowler-Nordheim-Belastung große Verschiebungen der Schwellenspannung des Transistors entstehen könnten. Die Hochspannungsdiode kann unter Verwendung eines Hochspannungs-Feldeffekttransistor konstruiert werden. Weitere Vorrichtungen, Systeme und Verfahren werden erörtert. A variety of applications can include a high voltage switch configured to translate supply voltages or other voltages to specific magnitudes in memory devices, with the high voltage switch designed to provide enhanced lifetime of components of the high voltage switch. A high voltage switch can include a high voltage diode coupled to an output node and to a gate of a high voltage transistor coupled to the output node. The high voltage diode can provide feedback of an output voltage to the gate of the high voltage transistor to relieve Fowler-Nordheim stress on the dielectric coupled to the gate in the transistor, where large shifts in threshold voltage of the transistor could otherwise result from the Fowler-Nordheim stress. The high voltage diode can be structured using a high voltage field effect transistor. Additional devices, systems, and methods are discussed.