MULTICHIP-MODUL UND ELEKTRONISCHE STEUERVORRICHTUNG MIT MULTICHIP-MODUL
Multichip-Modul (100), aufweisend:- eine Modulplatine (1) mit mehreren Platinenelektroden (13a-13e, 14) und mehreren mit den Platinenelektroden (13a-13e, 14) verbundenen Verdrahtungen, wobei die Verdrahtungen über Isolatoren laminierte Leitermuster und Zwischenschicht-Verbindungsabschnitte, die die...
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| creator | Takachiho, Kei Kamiya, Tomohiro |
| description | Multichip-Modul (100), aufweisend:- eine Modulplatine (1) mit mehreren Platinenelektroden (13a-13e, 14) und mehreren mit den Platinenelektroden (13a-13e, 14) verbundenen Verdrahtungen, wobei die Verdrahtungen über Isolatoren laminierte Leitermuster und Zwischenschicht-Verbindungsabschnitte, die die Leitermuster verschiedener Schichten verbinden, enthalten;- ein Halbleiterelement (2) mit mehreren Elementanschlüssen (21, 211-213), das auf der Modulplatine (1) durch Verbinden der Elementanschlüsse (21, 211-213) mit den Platinenelektroden (13a, 13c, 13e) montiert ist; und- eine Energieversorgungsschaltung (3) zum Zuführen von elektrischer Energie zu dem Halbleiterelement (2), die mehrere Schaltungsanschlüsse (32a, 32b) aufweist und auf der Modulplatine (1) durch Verbinden der Schaltungsanschlüsse (32a, 32b) mit den Platinenelektroden (13b, 13d) montiert ist, wobei- die Elementanschlüsse (21, 211-213) des Halbleiterelements (2) mehrere Kommunikationsanschlüsse (211) mit Kommunikationsschnittstellenfunktion und einen Energieversorgungsanschluss (212, 213) umfassen, der mit einem Energieversorgungspfad zur Energieversorgungsschaltung (3) verbunden ist, der einen Teil der Verdrahtungen und einen Teil der Platinenelektroden aufweist,- die Schaltungsanschlüsse (32a, 32b) der Energieversorgungsschaltung (3) mit dem Energieversorgungspfad verbunden sind,- die Modulplatine (1) einen Kommunikationspfad aufweist, der einen Teil der Verdrahtungen und einen Teil der Platinenelektroden verschieden von dem Energieversorgungspfad aufweist und mit dem Kommunikationsanschluss (211) verbunden ist,- der Kommunikationspfad außerhalb eines gegenüberliegenden Bereichs des Energieversorgungspfads in einer Befestigungsrichtung des Halbleiterelements (2) in Bezug auf die Modulplatine angeordnet ist,- der Kommunikationsanschluss (211) für eine Hochgeschwindigkeitskommunikation verwendet wird,- das Halbleiterelement (2), zusätzlich zu dem Kommunikationsanschluss (211), einen Niedriggeschwindigkeitskommunikationsanschluss (26a) aufweist, der für eine Niedriggeschwindigkeitskommunikation verwendet wird, die langsamer ist als die Hochgeschwindigkeitskommunikation,- die Modulplatine (1) einen Niedriggeschwindigkeitskommunikationspfad aufweist, der mit dem Niedriggeschwindigkeitskommunikationsanschluss (26a) verbunden ist und einen Teil der Verdrahtungen und einen Teil der Platinenelektroden verschieden von dem Energieversorgungspfad und dem Kommunikationspfad aufweist, und- mindestens ein Te |
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To provide a multichip module in which noise to a communication path is reduced.SOLUTION: A multichip module 100 includes a module substrate 1 having a plurality of substrate electrodes and a plurality of wirings, and a semiconductor element 2 and a power supply circuit 3 mounted on the module substrate. The semiconductor element includes a plurality of communication terminals 211 having a communication interface function as element terminals, and an element power supply terminal 212 and an element ground terminal 213 connected to a power supply path including a part of the wiring and a part of the substrate electrode, which are paths to the power supply circuit. The power supply circuit includes a circuit terminal connected to the power supply path. The module substrate includes a communication path that includes a part of the wiring and a part of the substrate electrode that are different from the power supply path, and is connected to the communication terminal. The communication path is provided outside the opposing area of the power supply path in the direction in which the semiconductor element is mounted on the module substrate.SELECTED DRAWING: Figure 2</description><language>ger</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2024</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20241031&DB=EPODOC&CC=DE&NR=102022107664B4$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76290</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20241031&DB=EPODOC&CC=DE&NR=102022107664B4$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>Takachiho, Kei</creatorcontrib><creatorcontrib>Kamiya, Tomohiro</creatorcontrib><title>MULTICHIP-MODUL UND ELEKTRONISCHE STEUERVORRICHTUNG MIT MULTICHIP-MODUL</title><description>Multichip-Modul (100), aufweisend:- eine Modulplatine (1) mit mehreren Platinenelektroden (13a-13e, 14) und mehreren mit den Platinenelektroden (13a-13e, 14) verbundenen Verdrahtungen, wobei die Verdrahtungen über Isolatoren laminierte Leitermuster und Zwischenschicht-Verbindungsabschnitte, die die Leitermuster verschiedener Schichten verbinden, enthalten;- ein Halbleiterelement (2) mit mehreren Elementanschlüssen (21, 211-213), das auf der Modulplatine (1) durch Verbinden der Elementanschlüsse (21, 211-213) mit den Platinenelektroden (13a, 13c, 13e) montiert ist; und- eine Energieversorgungsschaltung (3) zum Zuführen von elektrischer Energie zu dem Halbleiterelement (2), die mehrere Schaltungsanschlüsse (32a, 32b) aufweist und auf der Modulplatine (1) durch Verbinden der Schaltungsanschlüsse (32a, 32b) mit den Platinenelektroden (13b, 13d) montiert ist, wobei- die Elementanschlüsse (21, 211-213) des Halbleiterelements (2) mehrere Kommunikationsanschlüsse (211) mit Kommunikationsschnittstellenfunktion und einen Energieversorgungsanschluss (212, 213) umfassen, der mit einem Energieversorgungspfad zur Energieversorgungsschaltung (3) verbunden ist, der einen Teil der Verdrahtungen und einen Teil der Platinenelektroden aufweist,- die Schaltungsanschlüsse (32a, 32b) der Energieversorgungsschaltung (3) mit dem Energieversorgungspfad verbunden sind,- die Modulplatine (1) einen Kommunikationspfad aufweist, der einen Teil der Verdrahtungen und einen Teil der Platinenelektroden verschieden von dem Energieversorgungspfad aufweist und mit dem Kommunikationsanschluss (211) verbunden ist,- der Kommunikationspfad außerhalb eines gegenüberliegenden Bereichs des Energieversorgungspfads in einer Befestigungsrichtung des Halbleiterelements (2) in Bezug auf die Modulplatine angeordnet ist,- der Kommunikationsanschluss (211) für eine Hochgeschwindigkeitskommunikation verwendet wird,- das Halbleiterelement (2), zusätzlich zu dem Kommunikationsanschluss (211), einen Niedriggeschwindigkeitskommunikationsanschluss (26a) aufweist, der für eine Niedriggeschwindigkeitskommunikation verwendet wird, die langsamer ist als die Hochgeschwindigkeitskommunikation,- die Modulplatine (1) einen Niedriggeschwindigkeitskommunikationspfad aufweist, der mit dem Niedriggeschwindigkeitskommunikationsanschluss (26a) verbunden ist und einen Teil der Verdrahtungen und einen Teil der Platinenelektroden verschieden von dem Energieversorgungspfad und dem Kommunikationspfad aufweist, und- mindestens ein Teil des Niedriggeschwindigkeitskommunikationspfads in einem Bereich vorgesehen ist, der dem Energieversorgungspfad in Bezug auf die Befestigungsrichtung gegenüberliegt.
To provide a multichip module in which noise to a communication path is reduced.SOLUTION: A multichip module 100 includes a module substrate 1 having a plurality of substrate electrodes and a plurality of wirings, and a semiconductor element 2 and a power supply circuit 3 mounted on the module substrate. The semiconductor element includes a plurality of communication terminals 211 having a communication interface function as element terminals, and an element power supply terminal 212 and an element ground terminal 213 connected to a power supply path including a part of the wiring and a part of the substrate electrode, which are paths to the power supply circuit. The power supply circuit includes a circuit terminal connected to the power supply path. The module substrate includes a communication path that includes a part of the wiring and a part of the substrate electrode that are different from the power supply path, and is connected to the communication terminal. The communication path is provided outside the opposing area of the power supply path in the direction in which the semiconductor element is mounted on the module substrate.SELECTED DRAWING: Figure 2</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2024</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZHD3DfUJ8XT28AzQ9fV3CfVRCPVzUXD1cfUOCfL38wx29nBVCA5xDXUNCvMPCgKqCwn1c1fw9QxRQNPHw8CalphTnMoLpbkZVN1cQ5w9dFML8uNTiwsSk1PzUkviXVwNDYwMjIwMDczNzEycTIyJVQcAni0u3A</recordid><startdate>20241031</startdate><enddate>20241031</enddate><creator>Takachiho, Kei</creator><creator>Kamiya, Tomohiro</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20241031</creationdate><title>MULTICHIP-MODUL UND ELEKTRONISCHE STEUERVORRICHTUNG MIT MULTICHIP-MODUL</title><author>Takachiho, Kei ; Kamiya, Tomohiro</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_DE102022107664B43</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>ger</language><creationdate>2024</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>Takachiho, Kei</creatorcontrib><creatorcontrib>Kamiya, Tomohiro</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>Takachiho, Kei</au><au>Kamiya, Tomohiro</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>MULTICHIP-MODUL UND ELEKTRONISCHE STEUERVORRICHTUNG MIT MULTICHIP-MODUL</title><date>2024-10-31</date><risdate>2024</risdate><abstract>Multichip-Modul (100), aufweisend:- eine Modulplatine (1) mit mehreren Platinenelektroden (13a-13e, 14) und mehreren mit den Platinenelektroden (13a-13e, 14) verbundenen Verdrahtungen, wobei die Verdrahtungen über Isolatoren laminierte Leitermuster und Zwischenschicht-Verbindungsabschnitte, die die Leitermuster verschiedener Schichten verbinden, enthalten;- ein Halbleiterelement (2) mit mehreren Elementanschlüssen (21, 211-213), das auf der Modulplatine (1) durch Verbinden der Elementanschlüsse (21, 211-213) mit den Platinenelektroden (13a, 13c, 13e) montiert ist; und- eine Energieversorgungsschaltung (3) zum Zuführen von elektrischer Energie zu dem Halbleiterelement (2), die mehrere Schaltungsanschlüsse (32a, 32b) aufweist und auf der Modulplatine (1) durch Verbinden der Schaltungsanschlüsse (32a, 32b) mit den Platinenelektroden (13b, 13d) montiert ist, wobei- die Elementanschlüsse (21, 211-213) des Halbleiterelements (2) mehrere Kommunikationsanschlüsse (211) mit Kommunikationsschnittstellenfunktion und einen Energieversorgungsanschluss (212, 213) umfassen, der mit einem Energieversorgungspfad zur Energieversorgungsschaltung (3) verbunden ist, der einen Teil der Verdrahtungen und einen Teil der Platinenelektroden aufweist,- die Schaltungsanschlüsse (32a, 32b) der Energieversorgungsschaltung (3) mit dem Energieversorgungspfad verbunden sind,- die Modulplatine (1) einen Kommunikationspfad aufweist, der einen Teil der Verdrahtungen und einen Teil der Platinenelektroden verschieden von dem Energieversorgungspfad aufweist und mit dem Kommunikationsanschluss (211) verbunden ist,- der Kommunikationspfad außerhalb eines gegenüberliegenden Bereichs des Energieversorgungspfads in einer Befestigungsrichtung des Halbleiterelements (2) in Bezug auf die Modulplatine angeordnet ist,- der Kommunikationsanschluss (211) für eine Hochgeschwindigkeitskommunikation verwendet wird,- das Halbleiterelement (2), zusätzlich zu dem Kommunikationsanschluss (211), einen Niedriggeschwindigkeitskommunikationsanschluss (26a) aufweist, der für eine Niedriggeschwindigkeitskommunikation verwendet wird, die langsamer ist als die Hochgeschwindigkeitskommunikation,- die Modulplatine (1) einen Niedriggeschwindigkeitskommunikationspfad aufweist, der mit dem Niedriggeschwindigkeitskommunikationsanschluss (26a) verbunden ist und einen Teil der Verdrahtungen und einen Teil der Platinenelektroden verschieden von dem Energieversorgungspfad und dem Kommunikationspfad aufweist, und- mindestens ein Teil des Niedriggeschwindigkeitskommunikationspfads in einem Bereich vorgesehen ist, der dem Energieversorgungspfad in Bezug auf die Befestigungsrichtung gegenüberliegt.
To provide a multichip module in which noise to a communication path is reduced.SOLUTION: A multichip module 100 includes a module substrate 1 having a plurality of substrate electrodes and a plurality of wirings, and a semiconductor element 2 and a power supply circuit 3 mounted on the module substrate. The semiconductor element includes a plurality of communication terminals 211 having a communication interface function as element terminals, and an element power supply terminal 212 and an element ground terminal 213 connected to a power supply path including a part of the wiring and a part of the substrate electrode, which are paths to the power supply circuit. The power supply circuit includes a circuit terminal connected to the power supply path. The module substrate includes a communication path that includes a part of the wiring and a part of the substrate electrode that are different from the power supply path, and is connected to the communication terminal. The communication path is provided outside the opposing area of the power supply path in the direction in which the semiconductor element is mounted on the module substrate.SELECTED DRAWING: Figure 2</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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