HALBLEITERVORRICHTUNG MIT KONTAKT-PAD-STRUKTUR

Vorgeschlagen wird eine Halbleitervorrichtung. Die Halbleitervorrichtung (100) enthält eine Kontakt-Pad-Struktur (102) über einer ersten Oberfläche (106) eines Halbleiterkörpers (108). Die Halbleitervorrichtung enthält ferner eine dielektrische Struktur (110), die eine Seitenwand (112) und einen Gre...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Hilsenbeck, Jochen, Soellradl, Thomas, Gaisberger, Richard, Schoenherr, Helmut, Friedler, Sophia, Roth, Roman, Steinbrenner, Jürgen
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	Vorgeschlagen wird eine Halbleitervorrichtung. Die Halbleitervorrichtung (100) enthält eine Kontakt-Pad-Struktur (102) über einer ersten Oberfläche (106) eines Halbleiterkörpers (108). Die Halbleitervorrichtung enthält ferner eine dielektrische Struktur (110), die eine Seitenwand (112) und einen Grenzbereich (114) auf einer oberen Oberfläche (116) der Kontakt-Pad-Struktur (102) bedeckt, wobei die dielektrische Struktur (110) einen dielektrischen Spacer (1101) an der Seitenwand (112) der Kontakt-Pad-Struktur (102) enthält. A semiconductor device is proposed. The semiconductor device includes a contact pad structure over a first surface of a semiconductor body. The semiconductor device further includes a dielectric structure lining a sidewall and a boundary area on a top surface of the contact pad structure, wherein the dielectric structure includes a dielectric spacer at the sidewall of the contact pad structure.