Prüfvorrichtung, Verfahren zur Prüfung eines Halbleitersubstrats, Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstrats und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
Eine Prüfvorrichtung ist eine Prüfvorrichtung, die ein Halbleitersubstrat prüft. Die Prüfvorrichtung weist einen Tisch, einen ersten Ring und einen zweiten Ring auf. Eine erste Aussparung ist auf einer oberen Oberfläche des Tisches angeordnet. Die erste Aussparung weist in Draufsicht eine Ringform a...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | Eine Prüfvorrichtung ist eine Prüfvorrichtung, die ein Halbleitersubstrat prüft. Die Prüfvorrichtung weist einen Tisch, einen ersten Ring und einen zweiten Ring auf. Eine erste Aussparung ist auf einer oberen Oberfläche des Tisches angeordnet. Die erste Aussparung weist in Draufsicht eine Ringform auf. Der erste Ring ist elastisch. Der erste Ring ist in der ersten Aussparung angeordnet. Der zweite Ring drückt den ersten Ring in eine nach innen gerichtete Richtung der Ringform, um so den ersten Ring in Richtung einer innenseitigen Oberfläche einer seitlichen Oberfläche der ersten Aussparung zu drücken. Der erste Ring ragt weiter als die obere Oberfläche des Tisches in Richtung einer Oberseite vor. Im Tisch ist ein Absaugloch angeordnet. Das auf dem ersten Ring platzierte Halbleitersubstrat wird über eine Absaugung durch das Absaugloch mittels Vakuum angesaugt.
An inspection device is an inspection device that inspects a semiconductor substrate. The inspection device includes a stage, a first ring, and a second ring. A first recess is provided on an upper surface of the stage. The first recess has a ring shape in plan view. The first ring is elastic. The first ring is disposed in the first recess. The second ring presses the first ring in an inward direction of the ring shape so as to press the first ring toward an inner side surface of a side surface of the first recess. The first ring projects toward an upper side further than the upper surface of the stage. In the stage, an exhaust hole is provided. The semiconductor substrate placed on the first ring is vacuum-sucked with exhaustion through the exhaust hole. |
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