DUAL-GATE-LEISTUNGSHALBLEITERVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM STEUERN EINERDUAL-GATE-LEISTUNGSHALBLEITERVORRICHTUNG
Es wird ein Dual-Gate-IGBT (1) dargeboten, wobei das aktive Gebiet (1-2) einen ersten Abschnitt (1-21) und einen zweiten Abschnitt (1-22) beinhaltet. Beide Abschnitte können durch zwei Steuersignale (13-21, 13-22) gesteuert werden. Zum Beispiel weist der erste Abschnitt (1-21) eine erste charakteris...
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Format: | Patent |
Sprache: | ger |
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Zusammenfassung: | Es wird ein Dual-Gate-IGBT (1) dargeboten, wobei das aktive Gebiet (1-2) einen ersten Abschnitt (1-21) und einen zweiten Abschnitt (1-22) beinhaltet. Beide Abschnitte können durch zwei Steuersignale (13-21, 13-22) gesteuert werden. Zum Beispiel weist der erste Abschnitt (1-21) eine erste charakteristische Transferkurve, Laststrom in Abhängigkeit von der Spannung des ersten Steuersignals (13-21) auf, und der zweite Abschnitt (1-22) eine zweite charakteristische Transferkurve, Laststrom in Abhängigkeit von der Spannung des ersten Steuersignals (13-21), auf, wobei mindestens die zweiten charakteristischen Transferkurven basierend auf der Spannung des zweiten Steuersignals (13-22) veränderbar sind. Bei einer gegebenen Spannung des ersten Steuersignals (13-21), die einem Vorwärtsleitungszustand der Leistungshalbleitervorrichtung (1) entspricht, ist die für eine gegebene Änderung der Spannung des zweiten Steuersignals (13-22) beobachtete Änderung des Laststroms im ersten Abschnitt (1-21) verglichen mit der entsprechenden Änderung des Laststroms im zweiten Abschnitt (1-22) kleiner.
A dual gate IGBT is presented, where the active region includes a first section and a second section. Both sections may be controlled by two control signals. For example, the first section exhibits a first characteristic transfer curve, load current in dependence of the voltage of the first control signal, and the second section exhibits a second characteristic transfer curve, load current in dependence of the voltage of the first control signal. At least the second characteristic transfer curves are changeable based on the voltage of the second control signal. For a given voltage of the first control signal corresponding to a forward-conduction-state of the power semiconductor device, the change of load current in the first section observed for a given change of the voltage of the second control signal is smaller as compared to the corresponding change of the load current in the second section. |
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