GRABENLOSE EINZELPHOTON-AVALANCHE-DIODEN

Struktur für einen Einzelphoton-Avalanche-Detektor, wobei die Struktur umfasst:ein Halbleitersubstrat (10), das eine obere Oberfläche (12) aufweist;eine Halbleiterschicht (20) an der oberen Oberfläche (12) des Halbleitersubstrats (10);eine lichtabsorbierende Schicht (32) an einem Abschnitt der Halbleiterschicht (20);eine erste dotierte Region (22) in dem Abschnitt der Halbleiterschicht (20), wobei die erste dotierte Region (22) in dem Abschnitt der Halbleiterschicht (20) angrenzend an die lichtabsorbierende Schicht (32) positioniert ist,eine zweite dotierte Region (18) in dem Halbleitersubstrat (10) angrenzend an die Halbleiterschicht (20); undeine Tiefgraben-Isolationsstruktur (25), die mit der zweiten dotierten Region (18) gekoppelt ist, wobei die Tiefgraben-Isolationsstruktur (25) den Abschnitt der Halbleiterschicht (20) umgibt, und die Tiefgraben-Isolationsstruktur (25) vollständig über der oberen Oberfläche (12) des Halbleitersubstrats (10) positioniert ist. Structures for a single-photon avalanche diode and methods of forming a structure for a single-photon avalanche diode. The structure includes a semiconductor substrate having a top surface, a semiconductor layer on the top surface of the semiconductor substrate, a light-absorbing layer on a portion of the semiconductor layer, and a doped region in the portion of the semiconductor layer. The doped region is positioned in the portion of the semiconductor layer adjacent to the light-absorbing layer.