NANOSTRUKTUR-FELDEFFEKTTRANSISTOR-VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN

Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung beinhaltet: Bilden einer Dummy-Gate-Struktur über einer Finnenstruktur, die über einem Substrat vorsteht, wobei die Finnenstruktur eine Finne und einen Schichtenstapel über der Finne beinhaltet, wobei der Schichtenstapel abwechselnde Schichten aus einem ersten Halbleitermaterial und einem zweiten Halbleitermaterial umfasst; Bilden von Öffnungen in der Finnenstruktur auf gegenüberliegenden Seiten der Dummy-Gate-Struktur, wobei die Öffnungen erste Abschnitte des ersten Halbleitermaterials und zweite Abschnitte des zweiten Halbleitermaterials freilegen; Vertiefen der freigelegten ersten Abschnitte des ersten Halbleitermaterials, um Seitenwandvertiefungen im ersten Halbleitermaterial zu bilden; Auskleiden der Seitenwandvertiefungen mit einem ersten dielektrischen Material; Abscheiden eines zweiten dielektrischen Materials in den Seitenwandvertiefungen auf dem ersten dielektrischen Material; nach dem Abscheiden des zweiten dielektrischen Materials, Tempern des zweiten dielektrischen Materials; und nach dem Tempern, Bilden von Source/Drain-Regionen in den Öffnungen. A method of forming a semiconductor device includes: forming a dummy gate structure over a fin structure that protrudes above a substrate, where the fin structure includes a fin and a layer stack over the fin, where the layer stack comprises alternating layers of a first semiconductor material and a second semiconductor material; forming openings in the fin structure on opposing sides of the dummy gate structure, where the openings exposes first portions of the first semiconductor material and second portions of the second semiconductor material; recessing the exposed first portions of the first semiconductor material to form sidewall recesses in the first semiconductor material; lining the sidewall recesses with a first dielectric material; depositing a second dielectric material in the sidewall recesses on the first dielectric material; after depositing the second dielectric material, annealing the second dielectric material; and after the annealing, forming source/drain regions in the openings.