GEBIETE AKTIVE GEBIETE FÜR EINE HALBLEITERVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG

Eine Halbleitervorrichtung umfasst ein Substrat; und eine Zellregion mit gegenüberliegenden ersten und zweiten Seiten, wobei die Zellregion aktive Regionen umfasst, die im Substrat ausgebildet sind; relativ zu einer imaginären ersten Referenzlinie eine erste Mehrheit der aktiven Regionen mit ersten Enden, die mit der ersten Referenzlinie ausgerichtet sind, wobei die erste Seite parallel und proximal zu der ersten Referenzlinie ist; relativ zu einer imaginären zweiten Referenzlinie in der zweiten Richtung eine zweite Mehrheit der aktiven Regionen mit zweiten Enden, die mit der zweiten Referenzlinie ausgerichtet sind, wobei die zweite Seite parallel und proximal zu der zweiten Referenzlinie ist; und Gate-Strukturen entsprechend auf ersten und zweiten der aktiven Regionen; und relativ zu der zweiten Richtung ein erstes Ende einer ausgewählten der Gate-Strukturen an eine dazwischenliegende Region zwischen den ersten und zweiten aktiven Regionen angrenzt. A semiconductor device includes a substrate; and a cell region having opposite first and second sides, the cell region including active regions formed in the substrate; relative to an imaginary first reference line, a first majority of the active regions having first ends which align with the first reference line, the first side being parallel and proximal to the first reference line; relative to an imaginary second reference line in the second direction, a second majority of the active regions having second ends which align with the second reference line, the second side being parallel and proximal to the second reference line; and gate structures correspondingly on first and second ones of the active regions; and relative to the second direction, a first end of a selected one of the gate structures abuts an intervening region between the first and second active regions.