VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER METALLSILICIDSCHICHT OBERHALB EINES SILICIUMCARBIDSUBSTRATS UND HALBLEITERVORRICHTUNG, DIE EINE METALLSILICIDSCHICHT UMFASST

Ein Verfahren zum Herstellen einer Metallsilicidschicht umfasst thermisches Lasertempern eines Oberflächengebiets eines SiC-Substrats, Freilegen einer Oberfläche einer dementsprechend erhaltenen Siliciumschicht, Abscheiden einer Metallschicht oberhalb der freigelegten Siliciumschicht, und thermisches Behandeln des Stapels aus Schichten, wodurch eine Metallsilicidschicht gebildet wird. Ein alternatives Verfahren zum Herstellen einer Metallsilicidschicht umfasst Abscheiden wenigstens einer Siliciumschicht oberhalb eines SiC-Substrats, Abscheiden einer Metallschicht, thermisches Lasertempern des SiC-Substrats und des Stapels aus Schichten oberhalb des SiC-Substrats, wodurch eine Metallsilicidschicht gebildet wird. Zudem wird eine Halbleitervorrichtung beschrieben, die eine Struktur aus wenigstens drei Schichten aufweist, die ein SiC-Substrat, eine Metallsilicidschicht und eine polykristalline Schicht in direktem Kontakt mit dem Substrat und den Metallsilicidschichten umfasst. A method of manufacturing a metal silicide layer comprises performing laser thermal annealing of a surface region of a silicon carbide (SiC) substrate, exposing a surface of a thus obtained silicon layer, depositing a metal layer above the exposed silicon layer, and/or thermally treating a stack of layers, comprising the silicon layer and the metal layer, to form a metal silicide layer. Alternatively and/or additionally, the method may comprise depositing a silicon layer above a SiC substrate, depositing a metal layer, and/or performing laser thermal annealing of the SiC substrate and a stack of layers above the SiC substrate to form a metal silicide layer, wherein the stack of layers comprises the silicon layer and the metal layer. Moreover, a semiconductor device is described, comprising a SiC substrate, a metal silicide layer, and a polycrystalline layer in direct contact with the SiC substrate and the metal silicide layer.