HYBRIDSCHICHTKONFIGURATION FÜR SELBSTJUSTIERTEN KONTAKT

Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit den folgenden Schritten: Herstellen einer Finne, die über ein Substrat übersteht; Herstellen eines Metallgates über der Finne, wobei das Metallgate von einer dielektrischen Schicht umgeben wird; Ätzen des Metallgates, um eine Höhe des Meta...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Ho, Tsai-Jung, Shih, Po-Cheng, Lu, Jian-Hong, Hsieh, Bor Chiuan, Lee, Tze-Liang
Format: Patent
Sprache:ger
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Beschreibung
Zusammenfassung:Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit den folgenden Schritten: Herstellen einer Finne, die über ein Substrat übersteht; Herstellen eines Metallgates über der Finne, wobei das Metallgate von einer dielektrischen Schicht umgeben wird; Ätzen des Metallgates, um eine Höhe des Metallgates zu verringern, wobei nach dem Ätzen eine Aussparung über dem Metallgate zwischen Gate-Abstandshaltern des Metallgates gebildet wird; Belegen von Seitenwänden und einer Unterseite der Aussparung mit einem Halbleitermaterial; Füllen der Aussparung durch Herstellen eines dielektrischen Materials über dem Halbleitermaterial; Herstellen einer Maskenschicht über dem Metallgate, wobei eine erste Öffnung der Maskenschicht direkt über einem Teil der dielektrischen Schicht benachbart zu dem Metallgate ist; Entfernen des Teils der dielektrischen Schicht, um eine zweite Öffnung in der dielektrischen Schicht zu bilden, wobei die zweite Öffnung einen darunter befindlichen Source/Drain-Bereich freilegt; und Füllen der zweiten Öffnung mit einem leitfähigen Material. A method of forming a semiconductor device includes: forming a fin protruding above a substrate; forming a metal gate over the fin, the metal gate being surround by a dielectric layer; etching the metal gate to reduce a height of the metal gate, where after the etching, a recess is formed over the metal gate between gate spacers of the metal gate; lining sidewalls and a bottom of the recess with a semiconductor material; filling the recess by forming a dielectric material over the semiconductor material; forming a mask layer over the metal gate, where a first opening of the mask layer is directly over a portion of the dielectric layer adjacent to the metal gate; removing the portion of the dielectric layer to form a second opening in the dielectric layer, the second opening exposing an underlying source/drain region; and filling the second opening with a conductive material.