HYBRIDSCHICHTKONFIGURATION FÜR SELBSTJUSTIERTEN KONTAKT
Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit den folgenden Schritten: Herstellen einer Finne, die über ein Substrat übersteht; Herstellen eines Metallgates über der Finne, wobei das Metallgate von einer dielektrischen Schicht umgeben wird; Ätzen des Metallgates, um eine Höhe des Meta...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | ger |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit den folgenden Schritten: Herstellen einer Finne, die über ein Substrat übersteht; Herstellen eines Metallgates über der Finne, wobei das Metallgate von einer dielektrischen Schicht umgeben wird; Ätzen des Metallgates, um eine Höhe des Metallgates zu verringern, wobei nach dem Ätzen eine Aussparung über dem Metallgate zwischen Gate-Abstandshaltern des Metallgates gebildet wird; Belegen von Seitenwänden und einer Unterseite der Aussparung mit einem Halbleitermaterial; Füllen der Aussparung durch Herstellen eines dielektrischen Materials über dem Halbleitermaterial; Herstellen einer Maskenschicht über dem Metallgate, wobei eine erste Öffnung der Maskenschicht direkt über einem Teil der dielektrischen Schicht benachbart zu dem Metallgate ist; Entfernen des Teils der dielektrischen Schicht, um eine zweite Öffnung in der dielektrischen Schicht zu bilden, wobei die zweite Öffnung einen darunter befindlichen Source/Drain-Bereich freilegt; und Füllen der zweiten Öffnung mit einem leitfähigen Material.
A method of forming a semiconductor device includes: forming a fin protruding above a substrate; forming a metal gate over the fin, the metal gate being surround by a dielectric layer; etching the metal gate to reduce a height of the metal gate, where after the etching, a recess is formed over the metal gate between gate spacers of the metal gate; lining sidewalls and a bottom of the recess with a semiconductor material; filling the recess by forming a dielectric material over the semiconductor material; forming a mask layer over the metal gate, where a first opening of the mask layer is directly over a portion of the dielectric layer adjacent to the metal gate; removing the portion of the dielectric layer to form a second opening in the dielectric layer, the second opening exposing an underlying source/drain region; and filling the second opening with a conductive material. |
---|