Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie mit einer Temperierstruktur

Die Erfindung betrifft eine Projektionsbelichtungsanlage (1,101) für die Halbleiterlithografie mit einem auf einer optischen Wirkfläche (31) mit einer elektromagnetischen Strahlung (16,116) beaufschlagbaren optischen Element (Mx,117), wobei das optische Element (Mx, 117) eine Temperierstruktur (32,3...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Mack, Rüdiger, Schurer, Johannes, Leuermann, Martin, Hoffmann, Tim, Letscher, Fabian, Schneider, Eva, Lorenz, Maike, Mitev, Vladimir
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR CINEMATOGRAPHY CONSTRUCTIONAL DETAILS OF INSTRUMENTS, OR COMPARABLE DETAILSOF OTHER APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY INSTRUMENT DETAILS MATERIALS THEREFOR OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS OPTICS ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Die Erfindung betrifft eine Projektionsbelichtungsanlage (1,101) für die Halbleiterlithografie mit einem auf einer optischen Wirkfläche (31) mit einer elektromagnetischen Strahlung (16,116) beaufschlagbaren optischen Element (Mx,117), wobei das optische Element (Mx, 117) eine Temperierstruktur (32,38,42,43,44,46) zur Temperierung umfasst. Die Temperierstruktur (32,38,42,43,44,46) ist erfindungsgemäß derart eingerichtet, dass eine inhomogene Temperaturverteilung auf der optischen Wirkfläche (31) homogenisiert wird.