Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie

Die Erfindung betrifft eine Projektionsbelichtungsanlage (1,101) für die Halbleiterlithografie umfassend einen Spiegel (Mi, 117) mit einer optischen Wirkfläche (32), wobei der Spiegel (Mi,117) mindestens eine Aussparung (34) umfasst und wobei in der Aussparung (34) eine Temperierleitung (37) einer T...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Koerner, Christian, Frommeyer, Andreas
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR CINEMATOGRAPHY ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY MATERIALS THEREFOR OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS OPTICS ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Die Erfindung betrifft eine Projektionsbelichtungsanlage (1,101) für die Halbleiterlithografie umfassend einen Spiegel (Mi, 117) mit einer optischen Wirkfläche (32), wobei der Spiegel (Mi,117) mindestens eine Aussparung (34) umfasst und wobei in der Aussparung (34) eine Temperierleitung (37) einer Temperiervorrichtung (35) zur Temperierung des Spiegels (Mi,117) ohne mechanischen Kontakt zu den Begrenzungsflächen der Aussparung (34) angeordnet ist, wobei mindestens in einem Teilbereich zwischen den Begrenzungsflächen der Aussparung (34) und der Temperierleitung (37) ein Isolationselement (36) der Temperiervorrichtung (35) zur Reduzierung der Wirkung der Temperierleitung (37) auf den Spiegel (Mi, 117) ausgebildet ist.