Halbleiterlaserchip mit mindestens einem überstehenden Stegbereich

Die Erfindung betrifft einen Halbleiterlaserchip zur Emission von Laserstrahlung, umfassend: eine aktive Schicht (2) mit einem Steg (10), der einen streifenförmigen Stegbereich (10a) mit einer in lateraler Richtung (X) bevorzugt konstanten Breite d aufweist, wobei sich an einen ersten und/oder an einen zweiten seitlichen Rand (12a, 12b) des streifenförmigen Stegbereichs (10a) mindestens ein seitlich über den streifenförmigen Stegbereich (10a) überstehender Stegbereich (10b, 10b') anschließt. Eine Länge des seitlich überstehenden Stegbereichs (10b, 10b') in longitudinaler Richtung (Y) erhöht sich ausgehend von einer ersten Länge L1an dem ersten oder an dem zweiten seitlichen Rand (12a, 12b) des streifenförmigen Stegbereichs (10b, 10b') auf eine zweite Länge L2, wobei gilt: L2> 1,2 L1, bevorzugt L2> 1,3 L1. Der bzw. die seitlich überstehenden Stegbereiche (10b, 10b') sind bevorzugt trapezförmig ausgebildet. An zwei gegenüberliegenden Seiten der aktiven Schicht (2) sind zwei Spiegelflächen (9a, 9b) gebildet. An die Spiegelflächen (9a, 9b) grenzt der streifenförmige Stegbereich (10a) des Stegs (10) an. An den überstehenden Stegbereich (10b, 10b') grenzt die Spiegelfläche (9a, 9b) nicht an.