Thermoelektrisches Element, thermoelektrischer Generator und Verfahren zu deren Herstellung
Thermoelektrisches Element, umfassend ein dielektrisches Substrat mit einem Loch, ein erstes Metallisierungspad und ein zweites Metallisierungspad auf einer ersten Seite des dielektrischen Substrats, ein drittes Metallisierungspad und ein viertes Metallisierungspad auf einer zweiten Seite des dielek...
Gespeichert in:
1. Verfasser: | |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | ger |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | Thermoelektrisches Element, umfassend ein dielektrisches Substrat mit einem Loch, ein erstes Metallisierungspad und ein zweites Metallisierungspad auf einer ersten Seite des dielektrischen Substrats, ein drittes Metallisierungspad und ein viertes Metallisierungspad auf einer zweiten Seite des dielektrischen Substrats, wobei eine erste thermoelektrische Schicht in direktem Kontakt mit dem ersten Metallisierungspad und dem zweiten Metallisierungspad steht, eine zweite thermoelektrische Schicht, die in direktem Kontakt mit dem dritten Metallisierungspad und dem vierten Metallisierungspad steht, wobei die erste thermoelektrische Schicht und die zweite thermoelektrische Schicht unterschiedliche Leitfähigkeitstypen aufweisen, einander in dem Loch kontaktieren und dadurch einen p-n-Übergang bilden.
A thermoelectric element (40), comprising a dielectric substrate (100) having a hole (120), wherein the hole has a first opening on a first side of the dielectric substrate and a second opening on a second side of the dielectric substrate; a first metallisation pad (111) and a second metallisation pad (112) on the first side, wherein the first opening is between the first metallisation pad and the second metallisation pad; a planar thermoelectric layer (101) above the hole, wherein the planar thermoelectric layer has an interface with the first metallisation pad and an interface with the second metallisation pad, wherein both interfaces are in the same plane. |
---|