Erfassen der P-n-Übergangstemperatur von Leistungstransistoren

Verfahren zur Schätzung einer p-n-Übergangstemperatur eines Leistungstransistors, der in einem Wechselrichter Verwendung findet, die Messung einer temperaturabhängigen Charakteristik eines Leistungshalbleiters, der den Leistungstransistor umfasst, der in einem Leistungshalbleiter-Modul verwendet wird, das für die Verwendung im Wechselrichter ausgelegt ist, und die Schätzung der p-n-Übergangstemperatur des Leistungshalbleiters unter Verwendung der mathematischen Beziehung zwischen der p-n-Übergangstemperatur und der temperaturabhängigen Charakteristik des Leistungshalbleiters umfassend. Die Messung der temperaturabhängigen Charakteristik und Schätzung der p-n-Übergangstemperatur daraus kommt ohne diskretes Fühlelement aus. A method for estimating a junction temperature of a power transistor used in an inverter, comprising measuring a temperature-dependent characteristic of a power semiconductor comprising the power transistor used in a power semiconductor module adapted for use in the inverter, and estimating the junction temperature of the power semiconductor using the mathematical relationship between junction temperature and the temperature-dependent characteristic of the power semiconductor. Measurement of the temperature-dependent characteristic and estimation of the junction temperature therefrom is free from using a discrete sensing element.