Stress- und/oder Dehnungsmesszelle für ein Stress- und/oder Dehnungsmesssystem

Die Erfindung betrifft eine Stress- und/oder Dehnungsmesszelle (10) für ein Stress- und/oder Dehnungsmesssystem mit: einem Referenz-Kontakt (14), einem Sensor-Kontakt (16) und einer ersten Stromspiegelschaltung (18), welche in ein Halbleitermaterial integriert ist, und einen an dem Referenz-Kontakt (14) anbindbaren oder angebundenen ersten Leitungspfad (18a) und einen an dem Sensor-Kontakt (16) anbindbaren oder angebundenen zweiten Leitungspfad (18b) aufweist, wobei der erste Leitungspfad (18a) der ersten Stromspiegelschaltung (18) zumindest einen ersten Transistor (T1) umfasst und der zweite Leitungspfad (18b) der ersten Stromspiegelschaltung (18) zumindest einen zweiten Transistor (T2) umfasst, und wobei für einen ersten Inversionskanal des ersten Transistors (T1) eine senkrecht zu dem ersten Inversionskanal ausgerichtete erste Kristallrichtung des Halbleitermaterials und für einen zweiten Inversionskanal des zweiten Transistors (T2) eine senkrecht zu dem zweiten Inversionskanal ausgerichtete zweite Kristallrichtung des Halbleitermaterials definierbar sind, wobei die erste Kristallrichtung des Halbleitermaterials geneigt zu der zweiten Kristallrichtung des Halbleitermaterials ausgerichtet ist. A stress and/or strain measurement cell for a stress and/or strain measurement system. The cell includes a reference contact, a sensor contact and a first current mirror circuit which is integrated into a semiconductor material and has a first conduction path connectable or connected to the reference contact and a second conduction path connectable or connected to the sensor contact. The first conduction path includes a first transistor and the second conduction path includes a second transistor. A first crystal direction of the semiconductor material oriented perpendicular to a first inversion channel of the first transistor is definable for the first inversion channel and a second crystal direction of the semiconductor material oriented perpendicular to a second inversion channel of the second transistor is definable for the second inversion channel. The first crystal direction of the semiconductor material is inclined relative to the second crystal direction of the semiconductor material.