Leistungshalbleitermodul mit einem Substrat, Leistungshalbleiterbauelementen und mit einem Druckkörper

Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodul mit einem Substrat, das eine elektrisch nicht leitende Isolationsschicht und eine auf der Isolationsschicht angeordnete zu Leiterbahnen strukturierte Metallschicht aufweist, mit auf der Metallschicht angerordneten und mit der Metallschicht elektrisch leitend kontaktierten Leistungshalbleiterbauelementen, mit einer in Normalenrichtung der Isolationsschicht über dem Substrat angeordneten Druckeinrichtung, die einen Druckkörper und auf das Substrat zu verlaufende Druckelemente aufweist, wobei die Druckelemente jeweilig über ein dem jeweiligen Druckelement zugeordnetes Federelement der Druckeinrichtung mit dem Druckkörper in Normalenrichtung der Isolationsschicht beweglich federnd verbunden sind, wobei der Druckkörper zur Ausübung eines Drucks über die Federelemente auf die Druckelemente in Richtung auf das Substrat zu ausgebildet ist, wobei die Druckelemente derart angeordnet sind, dass diese infolge des vom Druckkörper ausgeübten Drucks auf die Leistungshalbleiterbauelemente umgebende Leistungshalbleiterbauelementumgebungsbereiche des Substrats drücken. A power semiconductor module has a substrate and an insulation layer and a metal layer arranged on the insulation layer, forming conductor tracks, comprising power semiconductor components arranged on the metal layer and conductively contacted with the metal layer. A pressure device arranged above the substrate in the normal direction of the insulation layer and having a pressure body and pressure elements running toward the substrate. The pressure elements each being connected to the pressure body to move resiliently in the normal direction via a spring element. The pressure body exerting a pressure onto the pressure elements in the direction toward the substrate via the spring elements, the pressure elements being arranged in such a way that, owing to the pressure exerted by the pressure body, they press onto power semiconductor component surrounding regions, surrounding the power semiconductor components, of the substrate.