VERGOSSENES HALBLEITER-PACKAGE MIT ZWEI INTEGRIERTEN WÄRMEVERTEILERN

Ein vergossenes Halbleiter-Package (100) weist auf: ein in eine Verguss-Verbindung (104) eingebettetes Halbleiter-Die (102); einen ersten Wärmeverteiler (114), der teilweise in die Verguss-Verbindung (104) eingebettet ist und thermisch mit einer ersten Seite (108) des Halbleiter-Dies (102) gekoppelt ist; und einen zweiten Wärmeverteiler (116), der teilweise in die Verguss-Verbindung (104) eingebettet ist und thermisch mit einer der ersten Seite gegenüberliegenden zweiten Seite (112) des Halbleiter-Dies (102) gekoppelt ist. Der erste Wärmeverteiler (114) weist mindestens eine wärmeableitende Struktur auf, welche aus einer nicht von der Verguss-Verbindung (104) bedeckten Seite des ersten Wärmeverteilers (114) herausragt und von dem Halbleiter-Die (102) weg zeigt. Die Verguss-Verbindung (104) ist eingerichtet, ein Fluid über die mindestens eine wärmeableitende Struktur in eine Richtung parallel zu der ersten Seite des Leistungs-Halbleiter-Dies (102) zu leiten. Entsprechende elektronische Baugruppen und Verfahren der Herstellung werden ebenfalls beschrieben. A molded semiconductor package includes: a semiconductor die embedded in a mold compound; a first heat spreader partly embedded in the mold compound and thermally coupled to a first side of the semiconductor die; and a second heat spreader partly embedded in the mold compound and thermally coupled to a second side of the semiconductor die opposite the first side. The first heat spreader includes at least one heat dissipative structure protruding from a side of the first heat spreader uncovered by the mold compound and facing away from the semiconductor die. The mold compound is configured to channel a fluid over the at least one heat dissipative structure in a direction parallel to the first side of the power semiconductor die. Corresponding methods of production and electronic assemblies are also described.